|
|
|
부품번호 | 2SC1008 기능 |
|
|
기능 | TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors | ||
제조업체 | TGS | ||
로고 | |||
TIGER ELECTRONIC CO.,LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
2SC1008 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
z General Purpose Switching and Amplification
TO – 92
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
RθJA
Tj
Tstg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Thermal Resistance From Junction To Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
80
60
8
700
800
156
150
-55~+150
Unit
V
V
V
mA
mW
℃/W
℃
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Collector output capacitance
Transition frequency
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE (sat)
Cob
fT
Test conditions
IC= 0.1mA,IE=0
IC=10mA,IB=0
IE=0.01mA,IC=0
VCB=60V,IE=0
VEB=5V,IC=0
VCE=2V, IC=50mA
IC=500mA,IB=50mA
IC=500mA,IB=50mA
VCB=10V,IC=0, f=1MHz
VCE=10V,IC= 50mA
Min Typ Max Unit
80 V
60 V
8V
0.1 μA
0.1 μA
40 400
0.4 V
1.1 V
8 pF
30 MHz
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
R
RANGE
40-80
O
70-140
Y
120-240
G
200-400
B,Aug,2014
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2SC1008.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SC100 | 2SCxxx Transistor | ETC |
2SC1000 | (2SCxxx) Low Level and General Purpose Amplifiers | Micro Electronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |