|
|
|
부품번호 | AD100-8 기능 |
|
|
기능 | Photodiode | ||
제조업체 | HY-LINE | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
AD100-8 TO52S1
Avalanche Photodiode
Special characteristics:
high gain at low bias voltage
fast rise time
100 µm diameter active area
low capacitance
Parameters: (at 20 ±2°C)
Active Area
Dark Current 1)
(M=100)
Total Capacitance 1)
(M=100)
Breakdown Voltage UBR
(at ID=2µA)
Temperature Coefficient of UBR
Spectral Responsivity
(at 800 nm, at M=100)
Cut-off Frequency
(-3dB)
Rise Time
Optimum Gain
Max. Gain
"Exess Noise" factor
(M=100)
"Exess Noise" index
(M=100)
Noise Current
(M=100)
N.E.P.
(M=100, 800 nm)
Operating Temperature
Storage Temperature
0.00785 mm2
∅ 100 µm
max. 0.1 nA
typ. 50 pA
typ. 0.8 pF
120 - 190 V
0.35 … 0.55 V/K
typ. 0.45 V/K
min. 45 A/W
typ. 50 A/W
> 2 GHz
< 180 ps
50 - 60
> 200
typ. 2.2
typ. 0.2
typ. 0.15 pA/Hz½
typ. 3 * 10-15 W/Hz½
-20 ... +70 °C
-60 ... +100 °C
1) measurement conditions:
Setup of photo current 50 pA at M = 1 and irradiation by a LED
(680 nm, 60 nm bandwith).
Increase the photo current up to 5.0 nA, (M = 100) by internal multiplication
due to an increasing bias voltage.
Package (TO52S1):
CASE
ANODE
4
31
45°
∅ 2.54
∅ 5.4 ± 0.2
∅ 4.7 ± 0.1
∅ 2.5 ± 0.1
∅ 2.0 min.
CATHODE
∅ 0.45
Chip: AD100-8
diam. active area: 100 µm
1
3
4
view without
window cap
www.silicon-sensor.com
Version: 04-10-26
Specification before: SSO-AD-100-8-TO52-S1
www.pacific-sensor.com
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ AD100-8.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
AD100-8 | Photodiode | First Sensor |
AD100-8 | APD | First Sensor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |