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부품번호 | AF9926N 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | ||
제조업체 | Anachip | ||
로고 | |||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
AF9926N
Features
- Capable of 2.5V Gate Drive
- Low On-resistance
- Low Drive Current
- Surface Mount Package
General Description
The advanced power MOSFET provides the designer
with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, ultra low on-resistance and
cost-effectiveness.
Product Summary
BVDSS (V)
20
RDS(ON) (mΩ)
30
ID (A)
6
Pin Assignments
S1 1
G1 2
S2 3
G2 4
SO-8
8 D1
7 D1
6 D2
5 D2
Pin Descriptions
Pin Name
S1/2
G1/2
D1/2
Description
Source
Gate
Drain
Ordering information
A X 9926N X X X
Feature
F :MOSFET
PN
Package
S: SO-8
Lead Free
Blank : Normal
L : Lead Free Package
Packing
Blank : Tube or Bulk
A : Tape & Reel
This datasheet contains new product information. Anachip Corp. reserves the rights to modify the product specification without notice. No liability is assumed as a result of the use of
this product. No rights under any patent accompany the sale of the product.
Rev. 1.1 Sep 5, 2005
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Typical Performance Characteristics (Continued)
AF9926N
Fig 7. Maximum Safe Operating Area
Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Typical Gate Charge v.s. VGS
Fig 10. Typical Capacitance v.s. VDS
Fig 11. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Anachip Corp.
www.anachip.com.tw
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Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Rev. 1.1 Sep 5, 2005
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
AF9926N | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | Anachip |
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