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부품번호 | BU826 기능 |
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기능 | Silicon NPN Darlington Power Transistor | ||
제조업체 | INCHANGE | ||
로고 | |||
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
BU826
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 375V(Min)
·High Switching Speed
APPLICATIONS
Designed for line operated switchmode applications such as:
·Switching regulators
·Inverters
·Solenoid and relay drivers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCES
Collector-Emitter Voltage(VBE= 0)
800
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
375 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
8V
IC Collector Current-Continuous
6A
ICM Collector Current-Peak
8A
IBB Base Current
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
0.5 A
125 W
150 ℃
-65~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Thermal Resistance, Junction to Case
1.0 ℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BU8241F | Cross point mixer for telephones | ROHM Semiconductor |
BU8241FS | Cross point mixer for telephones | ROHM Semiconductor |
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