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부품번호 | PB210BD 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | NIKO-SEM | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
PB210BD
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
230mΩ
ID
10A
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAs
EAS
PD
Tj, Tstg
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
LIMITS
±20
10
6
40
18
16.5
41
17
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case
RθJC
Junction-to-Ambient
RθJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
TYPICAL
MAXIMUM
3
62.5
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
ID(ON)
STATIC
VGS = 0V, ID = 250µA
VDS = VGS, ID = 250µA
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 80V, VGS = 0V
VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 125 °C
VDS = 10V, VGS = 10V
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
100
1 1.5
2
V
±100 nA
1
µA
10
40 A
REV 1.0
Aug-19-2009
1
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
PB210BD
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
100
Operation in This
Area is Lim ited by
RDS(ON)
↓
10
100us
Single Pulse Maximum Power Dissipation
1000
800 SINGLE PULSE
RθJC = 3˚ C/W
TC=25˚ C
600
1
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TC=25˚ C
3.RθJC = 3˚ C/W
4.Single Pulse
1m s
10m s
100m s
DC
0.1
1 10 100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
400
200
1000
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse Time(s)
1.00E+01
Transient Thermal Response Curve
10
1.00E+00
1.00E-01
1.00E-02
Duty Cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.00E-03
1.E-06
single Pluse
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
Note
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJC = 3 ℃/W
3.TJ-TC = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJC
1.E-01
1.E+00
REV 1.0
Aug-19-2009
4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PB210BC | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
PB210BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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