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K1846 데이터시트 PDF




Panasonic에서 제조한 전자 부품 K1846은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K1846 자료 제공

부품번호 K1846 기능
기능 Silicon N-Channel Power F-MOS FET
제조업체 Panasonic
로고 Panasonic 로고


K1846 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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K1846 데이터시트, 핀배열, 회로
Power F-MOS FETs
2SK1846
Silicon N-Channel Power F-MOS FET
s Features
q Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 20mJ
q VGSS = ±30V guaranteed
q High-speed switching: tf = 35ns
q No secondary breakdown
s Applications
q Contactless relay
q Diving circuit for a solenoid
q Driving circuit for a motor
q Control equipment
q Switching power supply
s Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)
Parameter
Symbol Ratings
Drain to Source breakdown voltage
Gate to Source voltage
Drain current
DC
Pulse
Avalanche energy capacity
VDSS
VGSS
ID
IDP
EAS*
800
±30
±3
±6
20
Allowable power
dissipation
TC = 25°C
Ta = 25°C PD
40
1.3
Channel temperature
Storage temperature
Tch 150
Tstg 55 to +150
* L = 4.5mH, IL = 3A, VDD = 50V, 1 pulse
Unit
V
V
A
A
mJ
W
°C
°C
s Electrical Characteristics (TC = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Drain to Source cut-off current IDSS
Gate to Source leakage current IGSS
Drain to Source breakdown voltage VDSS
Gate threshold voltage
Vth
Drain to Source ON-resistance RDS(on)
Forward transfer admittance
| Yfs |
Diode forward voltage
VDSF
Input capacitance (Common Source) Ciss
Output capacitance (Common Source) Coss
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss
Turn-on time
ton
Fall time
tf
Turn-off time (delay time)
td(off)
Thermal resistance between channel and case Rth(ch-c)
VDS = 640V, VGS = 0
VGS = ±30V, VDS = 0
ID = 1mA, VDS = 0
VDS = 25V, ID = 1mA
VGS = 10V, ID = 2A
VDS = 25V, ID = 2A
IDR = 3A, VGS = 0
VDS = 20V, VGS = 0, f = 1MHz
VGS = 10V, ID = 2A
VDD = 200V, RL = 100
8.5±0.2
6.0±0.5
unit: mm
3.4±0.3
1.0±0.1
1.5max.
0.8±0.1
2.54±0.3
5.08±0.5
123
1.1max.
0.5max.
1: Gate
2: Drain
3: Source
N Type Package
min typ max Unit
0.1 mA
±1 µA
800 V
1 5V
3.2 4
1.5 2.4
S
1.6 V
730 pF
90 pF
40 pF
40 ns
35 ns
105 ns
3.125 °C/W
1





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