|
|
|
부품번호 | K1846 기능 |
|
|
기능 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET | ||
제조업체 | Panasonic | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
Power F-MOS FETs
2SK1846
Silicon N-Channel Power F-MOS FET
s Features
q Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 20mJ
q VGSS = ±30V guaranteed
q High-speed switching: tf = 35ns
q No secondary breakdown
s Applications
q Contactless relay
q Diving circuit for a solenoid
q Driving circuit for a motor
q Control equipment
q Switching power supply
s Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)
Parameter
Symbol Ratings
Drain to Source breakdown voltage
Gate to Source voltage
Drain current
DC
Pulse
Avalanche energy capacity
VDSS
VGSS
ID
IDP
EAS*
800
±30
±3
±6
20
Allowable power
dissipation
TC = 25°C
Ta = 25°C PD
40
1.3
Channel temperature
Storage temperature
Tch 150
Tstg −55 to +150
* L = 4.5mH, IL = 3A, VDD = 50V, 1 pulse
Unit
V
V
A
A
mJ
W
°C
°C
s Electrical Characteristics (TC = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Drain to Source cut-off current IDSS
Gate to Source leakage current IGSS
Drain to Source breakdown voltage VDSS
Gate threshold voltage
Vth
Drain to Source ON-resistance RDS(on)
Forward transfer admittance
| Yfs |
Diode forward voltage
VDSF
Input capacitance (Common Source) Ciss
Output capacitance (Common Source) Coss
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss
Turn-on time
ton
Fall time
tf
Turn-off time (delay time)
td(off)
Thermal resistance between channel and case Rth(ch-c)
VDS = 640V, VGS = 0
VGS = ±30V, VDS = 0
ID = 1mA, VDS = 0
VDS = 25V, ID = 1mA
VGS = 10V, ID = 2A
VDS = 25V, ID = 2A
IDR = 3A, VGS = 0
VDS = 20V, VGS = 0, f = 1MHz
VGS = 10V, ID = 2A
VDD = 200V, RL = 100Ω
8.5±0.2
6.0±0.5
unit: mm
3.4±0.3
1.0±0.1
1.5max.
0.8±0.1
2.54±0.3
5.08±0.5
123
1.1max.
0.5max.
1: Gate
2: Drain
3: Source
N Type Package
min typ max Unit
0.1 mA
±1 µA
800 V
1 5V
3.2 4
Ω
1.5 2.4
S
−1.6 V
730 pF
90 pF
40 pF
40 ns
35 ns
105 ns
3.125 °C/W
1
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ K1846.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
K184 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK184 | Toshiba Semiconductor |
K1840 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK1840 | Sanyo |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |