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ME4856-G 데이터시트 PDF




Matsuki에서 제조한 전자 부품 ME4856-G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 ME4856-G 자료 제공

부품번호 ME4856-G 기능
기능 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
제조업체 Matsuki
로고 Matsuki 로고


ME4856-G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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ME4856-G 데이터시트, 핀배열, 회로
N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
The ME4856 is the N-Channel logic enhancement mode power field
effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench
technology. This high density process is especially tailored to
minimize on-state resistance. These devices are particularly suited
for low voltage application such as cellular phone and notebook
computer power management and other battery powered circuits
where high-side switching , and low in-line power loss are needed in
a very small outline surface mount package.
PIN CONFIGURATION
(SOP-8)
Top View
ME4856/ME4856-G
FEATURES
RDS(ON)6m@VGS=10V
RDS(ON)8.5m@VGS=4.5V
Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC current
capability
APPLICATIONS
Power Management in Note book
Battery Powered System
DC/DC Converter
Load Switch
e Ordering Information: ME4856 (Pb-free)
ME4856-G (Green product-Halogen free)
Absolute Maximum Ratings (TA=25Unless Otherwise Noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
TA=25
TA=70
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
TA=25
TA=70
Operating Junction and Storage Temperature Range
Thermal Resistance-Junction to Ambient*
* The device mounted on 1in2 FR4 board with 2 oz copper
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TJ, Tstg
RθJA
Maximum Ratings
30
±20
16
12.9
65
2.5
1.6
-55 to 150
50
Unit
V
V
A
A
W
℃/W
Aug, 2012-Ver4.2
01




ME4856-G pdf, 반도체, 판매, 대치품
N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
Typical Characteristics (TJ =25Noted)
ME4856/ME4856-G
Aug, 2012-Ver4.2
04

4페이지












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