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부품번호 | L7060-02 기능 |
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기능 | HIGH-POWER INFRARED PULSED LASER DIODE | ||
제조업체 | Hamamatsu Corporation | ||
로고 | |||
HIGH-POWER
INFRARED PULSED LASER DIODE
L7060-02
FEATURES
High output power ( ep 30W)
High speed rise time (tr=0.5 ns typ.)
APPLICATIONS
Laser rader
Range finder
Excitation light source
Optical trigger
Security barrier
Figure 1: Dimensional Outline (Unit: mm)
5.4 +0.05
-0.1
LD Chip
4.6 0.2
3.0 0.2
1.2 Max.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Symbol Value
Pulsed Foward Current
IFP 35
Reverse Voltage
VR 2
Pulsed Radiant Output Power
Pulse Duration (FWHM)
ep
tw
40
100
Duty Ratio
Operating Temperature
DR 0.075
Top -30 to +85
Storage Temperature
Tstg -40 to +125
Unit
A
V
W
ns
%
0.45
2.54
Cathode
(Common to Case)
Anode
Side View
(Pin Connection)
45
Bottom View
Anode
Cathode
ELECTRICAL AND OPTICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
Parameter
Pulsed Radiant Power
Peak Emission Wavelength
Spectral Radiation Half Bandwidth
Forward Voltage
Rise Time
Beam Spread Angle : Parallel
: Vertical
Lasing Threshold Current
Symbol
ep
p
Condition
IFP=30A
VF IFP=30A
tr
FWHM
IFP=30A
Ith
Min.
30
-
-
-
-
-
-
-
Typ.
-
870
4
7
0.5
9
30
1
Note: General operating condition ep W, tw 0 ns, Repetition frequency kHz
Max.
-
-
-
-
-
-
-
-
Unit
W
nm
nm
V
ns
degree
degree
A
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Specifications are subject to change without notice. No patent rights are granted to any of the circuits described herein. C 1998 Hamamatsu Photonics K.K.
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
L7060-02 | HIGH-POWER INFRARED PULSED LASER DIODE | Hamamatsu Corporation |
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