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부품번호 | P60NE06-16 기능 |
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기능 | STP60NE06-16 | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
전체 11 페이지수
STP60NE06-16
STP60NE06-16FP
N-CHANNEL 60V - 0.013 Ω - 60A TO-220/TO-220FP
"SINGLE FEATURE SIZE™" POWER MOSFET
Table 1. General Features
Type
VDSS
STP60NE06-16
60 V
STP60NE06-16FP 60 V
RDS(on)
< 0.016 Ω
< 0.016 Ω
ID
60 A
35 A
Figure 1. Package
FEATURES SUMMARY
■ TYPICAL RDS(on) = 0.013 Ω
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE 100°C
■ HIGH dv/dt CAPABILITY
■ APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of
STMicroelectronics unique "Single Feature Size"
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance,rugged avalance characteristics and
less critical alignment steps therefore a remark-
able manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
■ DC MOTOR CONTROL
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION
3
2
1
TO-220
3
2
1
TO-220 FP
Figure 2. Internal Schematic Diagram
Table 2. Order Codes
Part Number
STP60NE06-16
STP60NE06-16FP
Marking
P60NE06
P60NE06FP
April 2004
Package
TO-220
TO-220FP
Packaging
TUBE
TUBE
REV. 2
1/11
STP60NE06-16/FP
Table 11. Source Drain Diode
Symbol
Parameter
Test Conditions
ISD Source-drain Current
ISDM (1) Source-drain Current
(pulsed)
VSD (2) Forward On Voltage
ISD = 60 A; VGS = 0
trr Reverse Recovery Time ISD = 60 A; di/dt = 100 A/µs
Qrr Reverse RecoveryCharge VDD = 30 V; Tj = 150 °C
IRRAM Reverse RecoveryCharge
Note: 1. Pulse width limited by safe operating area
2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %
Min. Typ.
Max.
60
240
Unit
A
A
1.5
100
0.4
8
V
ns
µC
A
Figure 3. Safe Operating Area for TO-220
Figure 4. Safe Operating Area for TO-220FP
Figure 5. Thermal Impedance for TO-220
Figure 6. Thermal Impedance for TO-220FP
4/11
4페이지 Figure 16. Unclamped Inductive Load Test
Circuit
STP60NE06-16/FP
Figure 17. Unclamped Inductive Waveforms
Figure 18. Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Figure 19. Gate Charge Test Circuit
Figure 20. Test Circuit For Inductive Load
Switching And Diode Recovery Times
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