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부품번호 | CIL187 기능 |
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기능 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | ||
제조업체 | CDIL | ||
로고 | |||
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
CIL 187
TO-92
Plastic Package
Intended For Low Voltage , High Current Output Pair Application
Complementary CIL 188
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
Collector Emitter Voltage (VBE =0)
VCES
Collector Emitter Voltage ( Open Base) VCEO
Emitter Base Voltage ( Open Collector) VEBO
Collector Current
IC
CollectorCurent ( Peak Value )
ICM
Base Current
IB
Base Current (Peak Value)
IBM
Total Power Dissipation @ Ta=25ºC
PTA
Operating And Storage Junction
Tj, Tstg
Temperature Range
VALUE
25
15
5
700
1
100
200
625
-55 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
Collector Cut off Current
ICBO VCB=25V, IE = 0
MIN
VALUE
TYP
MAX
10
Emitter Cut off Current
Base Cut on Voltage
Collector Emitter Saturation
Voltage
DC Current Gain
IEBO
VBE (on)
VCE(sat)
VCB=25V, IE = 0
Tj= 150ºC
VEB=5V, IC = 0
IC =1A, VCE =1V
IC=1A,IB=100mA
hFE VCE=10V,IC=5mA
VCE=1V,IC=300mA
VCE=1V,IC=1A
50
100
40
1
10
1
0.5
300
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Transition Frequency
Collector Capacitance
fT IC=10mA, VCE=2V
Cc
CIL187
IE=0, VCB=5V,
CIL188
f=1MHz
270
10
30
UNIT
V
V
V
mA
A
mA
mA
mW
ºC
UNIT
µA
mA
µA
V
V
MHz
pF
pF
Continental Device India Limited
Data Sheet
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
CIL187 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | CDIL |
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