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부품번호 | BSZ110N08NS5 기능 |
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기능 | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Infineon | ||
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전체 12 페이지수
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSª5Power-Transistor,80V
BSZ110N08NS5
DataSheet
Rev.2.1
Final
PowerManagement&Multimarket
OptiMOSª5Power-Transistor,80V
BSZ110N08NS5
2Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current
Pulsed drain current1)
Avalanche energy, single pulse2)
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
ID
ID,pulse
EAS
VGS
Ptot
Tj,Tstg
Min.
-
-
-
-
-20
-
-55
Values
Typ. Max.
- 40
- 33
- 160
- 40
- 20
- 50
- 150
Unit Note/TestCondition
A
TC=25°C
TC=100°C
A TC=25°C
mJ ID=20A,RGS=25Ω
V-
W TC=25°C
°C
IEC climatic category;
DIN IEC 68-1: 55/150/56
3Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
Parameter
Symbol
Thermal resistance, junction - case
Device on PCB,
6 cm2 cooling area3)
RthJC
RthJA
Min.
-
Values
Typ. Max.
1.5 2.5
Unit Note/TestCondition
K/W -
- - 60 K/W -
1) See figure 3 for more detailed information
2) See figure 13 for more detailed information
3) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection.
PCB is vertical in still air.
Final Data Sheet
4 Rev.2.1,2014-05-05
4페이지 5Electricalcharacteristicsdiagrams
OptiMOSª5Power-Transistor,80V
BSZ110N08NS5
Diagram1:Powerdissipation
60
Diagram2:Draincurrent
50
40
40
30
20
20
10
0
0
Ptot=f(TC)
25 50 75 100 125 150 175
TC[°C]
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC[°C]
ID=f(TC);VGS≥10V
Diagram3:Safeoperatingarea
103
Diagram4:Max.transientthermalimpedance
101
1 µs
102
10 µs
0.5
100
0.2
0.1
101
100 µs
0.05
0.02
DC 1 ms
10 ms
0.01single pulse
10-1
100
10-1
10-1
100
VDS[V]
ID=f(VDS);TC=25°C;D=0;parameter:tp
101
Final Data Sheet
10-2
102
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
tp[s]
ZthJC=f(tp);parameter:D=tp/T
7 Rev.2.1,2014-05-05
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BSZ110N08NS5 | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | Infineon |
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