A1300 - PNP Transistor

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A1300 기능

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PNP Transistor - 2SA1300

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Toshiba Semiconductor

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TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

2SA1300

Strobe Flash Applications

Medium Power Amplifier Applications

2SA1300

Unit: mm

· High DC current gain and excellent hFE linearity

: hFE (1) = 140~600 (VCE = −1 V, IC = −0.5 A)

: hFE (2) = 60 (min), 120 (typ.) (VCE = −1 V, IC = −4 A)

· Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max)

(IC = −2 A, IB = −50 mA)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Pulsed

(Note 1)

Base current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

VCBO

VCES

VCEO

VEBO

ICP

Tstg

-20

-10

-6

-2

-5

-0.2

750

150

-55~150

Note 1: Pulse width = 10 ms (max), duty cycle = 30% (max)

Unit

°C

JEDEC

TO-92

JEITA

SC-43

TOSHIBA

2-5F1B

Weight: 0.21 g (typ.)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Test Condition

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

ICBO

VCB = -20 V, IE = 0

IEBO

VEB = -6 V, IC = 0

V (BR) CEO IC = -10 mA, IB = 0

V (BR) EBO IE = -1 mA, IC = 0

hFE (1)

VCE = -1 V, IC = -0.5 A

(Note 2)

hFE (2)

VCE (sat)

VBE

Cob

VCE = -1 V, IC = -4 A

IC = -2 A, IB = -50 mA

VCE = -1 V, IC = -2 A

VCE = -1 V, IC = -0.5 A

VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz

Note 2: hFE (1) classification Y: 140~280, GR: 200~400, BL: 300~600

Min Typ. Max Unit

¾ ¾ -0.1 mA

-10 ¾

-6 ¾ ¾

140 ¾ 600

60 120 ¾

¾ -0.2 -0.5

¾ -0.83 -1.5

¾ 140 ¾ MHz

¾ 50 ¾ pF

1 2003-03-24

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A1300	PNP Transistor - 2SA1300	Toshiba Semiconductor
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