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PDF F2N60 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | F2N60 | |
| Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
| Fabricantes | Red Diamond Optoelectronics | |
| Logotipo |  |
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F2N60
N-沟道功率 MOS 管/N-CHANNEL POWER MOSFET
◆应用:电子镇流器 电子变压器 开关电源
◇Applications:Electronic Ballast Electronic Transformer Switch Mode Power Supply
◆特点:热阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合 RoHS 规范
◇Features:Low Thermal Resistance High Speed Switching High Input Resistance
RoHS Compliant
TO-220
单位:mm
◆最大额定值(Tc=25℃)
◇Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃)
参数
Parameter
漏-源电压
Drain-Source Voltage
栅-源电压
Gate-Source Voltage
漏极电流
Continuous Drain Current
耗散功率
Power Dissipation
最高结温
Junction Temperature
贮存温度
Storage Temperature
符号
Symbol
VDS
VGS
ID
TC=25℃
TC=100℃
PD
Tj
Tstg
额定值
Value
600
±20
2.4
1.5
64
150
-55～150
单位
Unit
V
V
A
W
℃
℃
深0.1
123
◆电特性(Tc=25℃)
1-Gate 栅极 2-Drain 漏极 3-Source 源极
◇Electronic Characteristics(Tc=25℃)
参数名称
Charcteristics
漏-源击穿电压
Drain-Source Breakdown Voltage
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
漏-源漏电流
Drain-Source Leakage Current
通态漏极电流
On State Drain Current
栅极漏电流
Gate-Body Leakage Current (VDS=0)
漏-源导通电阻
Static Drain-Source On Resistance
热阻结-壳
Thermal Resistance Junction-Case
符号
Symbol
BVDSS
VGS(TH)
IDSS
ID(ON)
IGSS
RDS(ON)
RθJC
测试条件
Test Condition
VGS=0,ID=250μA
VGS=VDS,ID=250μA
VDS=Rated BVDSS
VGS=0
VDS=0.8Rated BVDSS
VGS=0,Tj=125℃
V >I ×RDS D(ON)
DS(on)MAX
VGS=10V
VGS=±20
VGS=10V,ID=1.2A
数值 Numerical Value
最小值 Min 最大值 Max
600
24
100
250
2.4
±100
4.7
2
单位
Unit
V
V
μA
A
nA
Ω
℃/W
广州红钻光电科技有限公司
GuangZhou Red Diamond Optoelectronics Technology Co., Ltd
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| F2N60 | PJF2N60 |  Pan Jit International |
| F2N60 | 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |  Unisonic Technologies |
| F2N60 | N-CHANNEL POWER MOSFET | Red Diamond Optoelectronics |
| F2N60 | N-CHANNEL POWER MOSFET |  SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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