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부품번호 | STU10L01 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | SamHop Microelectronics | ||
로고 | |||
Gre
Pro
STU/D10L01
Sa mHop Microelectronics C orp.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Ver 1.1
PRODUCT SUMMARY
VDSS
ID RDS(ON) (mΩ) Max
100V 10A 213 @ VGS=10V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
TO-252 and TO-251 Package.
G
S
STU SERIES
TO - 252AA( D- PAK )
G
DS
STD SERIES
TO - 251( I - PAK )
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID
Drain Current-Continuous a
TC=25°C
TC=70°C
IDM -Pulsed b
EAS Single Pulse Avalanche Energy d
PD
Maximum Power Dissipation a
TC=25°C
TC=70°C
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case a
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient a
Limit
100
±20
10
8
29
11
50
32
-55 to 150
2.5
50
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C/W
°C/W
Details are subject to change without notice.
1
Dec,19,2011
www.samhop.com.tw
STU/D10L01
600
ID=5A
500
400 125 C
300
75 C
200
25 C
100
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-to-Source Voltage(V)
Figure 7. On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
420
350 Ciss
280
210
140
Coss
70
Crss
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)
Figure 9. Capacitance
20.0
125 C
10.0
5.0
75 C
25 C
Ver 1.1
1.0
0
0.25 0.50 0.75 1.00 1.25
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
VDS=50V
8 ID=5A
6
4
2
0
0 1 2345 6 78
Qg, Total Gate Charge(nC)
Figure 10. Gate Charge
100 80
TD(off )
10 Tr
TD(on)
Tf
10
R DS(ON) Limit
DC10ms 1ms
1
VDS=50V,ID=1A
VGS=10V
0.1
1 10
Rg, Gate Resistance(Ω)
100
Figure 11. switching characteristics
1
VGS=10V
Single Pulse
TA=25 C
0.1
0.1 1
10 100
VDS, Drain-Source Voltage(V)
Figure 12. Maximum Safe Operating Area
Dec,19,2011
4 www.samhop.com.tw
4페이지 STU/D10L01
Ver 1.1
E
b2
L3
D1
1
L4
e
E1 D
23
b1
b
1
DETAIL "A"
A
C
TO-252
H
L2
SYMBOLS
A
A1
b
b1
b2
C
D
D1
E
E1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
1
L A1
L1 DETAIL "A"
MILLIMETERS
MIN MAX
2.100
2.500
0.000
0.400
0.200
0.889
0.770
1.140
4.800
5.460
0.400
0.600
5.300
6.223
4.900
5.515
6.300
4.400
6.731
5.004
2.290 REF
8.900
10.400
1.397
1.770
2.743 REF.
0.508 REF.
0.890
1.700
0.500
1.100
0° 10°
7° REF.
INCHES
MIN MAX
0.083
0.098
0.000
0.016
0.030
0.008
0.035
0.045
0.189
0.016
0.215
0.024
0.209
0.245
0.193
0.217
0.248
0.173
0.265
0.197
0.090 BSC
0.350
0.409
0.055
0.070
0.108
0.020
0.035
0.020
0°
7°
REF.
REF.
0.067
0.043
10°
REF.
Dec,19,2011
7 www.samhop.com.tw
7페이지 | |||
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STU10L01 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | SamHop Microelectronics |
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