Datasheet.kr   

IRFI4212H-117P 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRFI4212H-117P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IRFI4212H-117P 자료 제공

부품번호 IRFI4212H-117P 기능
기능 Digital Audio MOSFET
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRFI4212H-117P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

IRFI4212H-117P 데이터시트, 핀배열, 회로
DIGITAL AUDIO MOSFET
PD - 97249A
IRFI4212H-117P
Features
Ÿ Integrated half-bridge package
Ÿ Reduces the part count by half
Ÿ Facilitates better PCB layout
Ÿ Key parameters optimized for Class-D
audio amplifier applications
Ÿ Low RDS(ON) for improved efficiency
Ÿ Low Qg and Qsw for better THD and
improved efficiency
Ÿ Low Qrr for better THD and lower EMI
Ÿ Can delivery up to 150W per channel into
4load in half-bridge configuration
amplifier
Ÿ Lead-free package
Key Parameters g
VDS 100
RDS(ON) typ. @ 10V
58
Qg typ.
12
Qsw typ.
6.9
RG(int) typ.
3.4
TJ max
150
V
m:
nC
nC
°C
TO-220 Full-Pak 5 PIN
Description
G1, G2
Gate
D1, D2
Drain
S1, S2
Source
This Digital Audio MosFET Half-Bridge is specifically designed for Class D audio amplifier applications. It
consists of two power MosFET switches connected in half-bridge configuration. The latest process is used
to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, Gate charge, body-diode reverse recovery,
and internal Gate resistance are optimized to improve key Class D audio amplifier performance factors
such as efficiency, THD and EMI. These combine to make this Half-Bridge a highly efficient, robust and
reliable device for Class D audio amplifier applications.
Absolute Maximum Ratings g
Parameter
VDS Drain-to-Source Voltage
VGS Gate-to-Source Voltage
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
ID @ TC = 100°C
IDM
PD @TC = 25°C
PD @TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current c
Power Dissipation f
Power Dissipation f
Max.
100
±20
11
6.8
44
18
7.0
Units
V
A
W
EAS
TJ
TSTG
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energyd
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
0.14
41
-55 to + 150
300
W/°C
mJ
°C
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
10lbxin (1.1Nxm)
Thermal Resistance g
Parameter
RθJC
Junction-to-Case f
RθJA Junction-to-Ambient (free air)
Typ.
–––
–––
Max.
7.1
65
Units
°C/W
www.irf.com
1
08/21/06




IRFI4212H-117P pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRFI4212H-117P
100
TJ = 150°C
10
TJ = 25°C
1
VGS = 0V
0.1
0.0 0.5 1.0 1.5
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
12
10
8
6
4
2
0
25 50 75 100 125 150
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Junction Temperature
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
10
100µsec
1
0.1 1msec
0.01
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.001
1 10
10msec
DC
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4.5
4.0
3.5
ID = 250µA
3.0
2.5
2.0
1.5
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
D = 0.50
0.20
1 0.10
0.1
0.01
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
τJ τJ
τ1 τ1
R1R1
CiC= iτi/Ri/iRi
R2R2
τ2 τ2
R3R3
τ3 τ3
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
R4R4
τCτ
Ri (°C/W)
0.7942
1.3536
τ4τ4 2.2345
2.7177
τi (sec)
0.000208
0.001434
0.100647
1.9398
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1 10 100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
4 www.irf.com

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ IRFI4212H-117P.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
IRFI4212H-117P

Digital Audio MOSFET

International Rectifier
International Rectifier

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵