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FS3KMA-5A 데이터시트 PDF




Mitsubishi에서 제조한 전자 부품 FS3KMA-5A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FS3KMA-5A 자료 제공

부품번호 FS3KMA-5A 기능
기능 Nch POWER MOSFET
제조업체 Mitsubishi
로고 Mitsubishi 로고


FS3KMA-5A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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FS3KMA-5A 데이터시트, 핀배열, 회로
PRELIMINARYNSootmicee:pTahriasmisetnroict laimfiintsalasrepescuibficjeacttiotno.change.
FS3KMA-5A
MITMSIUTBSIUSBHIISNHcI hNPchOWPOEWREMROMSFOESTFET
FS3KFMSA3K-M5AA-5A
HIGHHIG-SHP-ESEPDEESDWSITWCIHTICNHGINUGSEUSE
OUTLINE DRAWING
10 ± 0.3
Dimensions in mm
2.8 ± 0.2
f 3.2 ± 0.2
q 10V DRIVE
q VDSS ............................................................................... 250V
q rDS (ON) (MAX) ................................................................ 2.0
q ID ........................................................................................... 3A
APPLICATION
SMPS, High speed switching use
2.54 ± 0.25
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
0.75 ± 0.15
ŒŽ

ΠGATE
Œ
 DRAIN
Ž SOURCE
Ž
TO-220FN
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
IDA
PD
Tch
Tstg
Viso
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Avalanche current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Isolation voltage
Weight
VGS = 0V
VDS = 0V
L = 200µH
Conditions
AC for 1minute, Terminal to case
Typical value
Ratings
250
±20
3
9
3
25
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
g
Jan. 2000




FS3KMA-5A pdf, 반도체, 판매, 대치품
PRELIMINARYNSootmicee:pTahriasmisetnroict laimfiintsalasrepescuibficjeacttiotno.change.
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS. GATE CHARGE
(TYPICAL)
20 TCh = 25°C
ID = 3A
16
VDS = 50V
12 100V
200V
8
4
0
0 2 4 6 8 10
GATE CHARGE Qg (nC)
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS3KMA-5A
HIGH-SPEED SWITCHING USE
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
5.0
VGS = 0V
Pulse Test
4.0
3.0
TC = 25°C
2.0 75°C
125°C
1.0
0
0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE VSD (V)
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
101
VGS = 10V
7 ID = 1/2ID
5 Pulse Test
3
2
100
7
5
3
2
10–1
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
5.0
VDS = 10V
ID = 1mA
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
BREAKDOWN VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
1.4
VGS = 0V
ID = 1mA
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTICS
102
7
5
3
2
101
7 D = 1.0
5
0.1
0.05
3 0.5
2 0.2
100
PDM
7
5 tw
3T
2 0.01 Single Pulse
D= tw
0.02
T
10–1
10–42 3 5 710–32 3 5 710–22 3 5 710–12 3 5 7 100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102
PULSE WIDTH tw (s)
Jan. 2000

4페이지












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