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부품번호 | QL85D6SA 기능 |
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기능 | Infrared Laser diode | ||
제조업체 | Roithner | ||
로고 | |||
QL85D6SA
TECHNICAL DATA
Infrared Laser Diode
Features
• AlGaAs laser diode
• Peak Wavelength: 850 nm
• Optical Ouput Power: 5 mW
• Package: 5.6 mm, with photo diode
Electrical Connection
Pin Configuration
m-type
PIN Function
1 LD Cathode
2 LD Anode, PD Cathode
3 PD Anode
Bottom View
Absolute Maximum Ratings (TC=25°C)
Item
CW Output Power
LD Reverse Voltage
PD Reverse Voltage
Operating Case Temperature
Storage Temperature
Symbol
PO
VR (LD)
VR (PD)
TC
Tstg
Value
7
2
30
-10 … +60
-40 … +85
Unit
mW
V
V
°C
°C
Specifications (TC=25°C)
Item
Optical Specifications
CW Output Power
Peak Wavelength *
FWHM Beam Divergence
Emission Point Accuracy
Astigmatism
Electrical Specifications
Threshold Current
Operating Current
Slope Efficiency
Operating Voltage
Monitor Current
* Measuring specifications.
Angle
Symbol
PO
λP
θ║
θ┴
Δθ║
Δθ┴
As
Ith
Iop
η
Uop
Im
Min.
-
845
7
25
-2.0
-3.0
5
15
0.4
-
0.2
Typ.
5
850
9
32
-
-
10
20
0.7
1.9
0.4
Max.
-
855
12
40
2.0
3.0
15
20
30
0.9
2.5
0.6
Unit
mW
nm
deg
deg
deg
deg
µm
mA
mA
W/A
V
mA
The above specifications are for reference purpose only and subjected to change without prior notice.
09.05.2012
QL85D6SA
1 of 5
Monitor Current vs Optical Power
Operating Voltage vs Temperature
Threshold Current vs Temperature
09.05.2012
QL85D6SA
4 of 5
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
QL85D6S-A | LASER DIODE | QSI |
QL85D6S-B | LASER DIODE | QSI |
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