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부품번호 | S8810MG 기능 |
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기능 | Infrared Laser diode | ||
제조업체 | Roithner | ||
로고 | |||
S8810MG
TECHNICAL DATA
Infrared Laser Diode
Features
• Mode Structure: single mode, edge emitting
• Peak Wavelength : typ. 880 nm
• Optical Ouput Power: 10 mW
• Package: 5.6 mm
• Ridge width 1x5 µm
Electrical Connection
Pin Configuration
n-type
PIN Function
1 LD Cathode
2 LD Anode, PD Cathode
3 PD Anode
Bottom View
Absolute Maximum Ratings (TC=25°C)
Item
CW Output Power
LD Reverse Voltage
PIN PD Reverse Voltage
Operating Case Temperature
Storage Temperature
Symbol
PO
VrLD
VrPIN
TC
Tstg
Value
10
2
30
-10 … +60
-15 … +85
Specifications (TC=25°C, PO=10mW)
Item
Symbol
Min.
Typ.
Optical Specifications
Center Wavelength
FWHM Beam Divergence*
Electrical Specifications
λC 870 880
θ║ 8 12
θ┴ 28 38
Threshold Current
Operating Current
Slope Efficiency
Ith - 10
Iop - 29
η 0.3 0.5
Operating Voltage
Monitor Current
Uop - 2.2
Im 0.2
-
* θ║ and θ┴ are defined as the angle within the intensity is 50% of the peak value.
The above specifications are for reference purpose only and subjected to change without prior notice.
Max.
890
15
45
15
35
-
2.5
0.6
Unit
mW
V
V
°C
°C
Unit
nm
deg
deg
mA
mA
mW/mA
V
mA
19.04.2012
S8810MG
1 of 5
Monitor Current vs. Optical Output Power
Slope Efficiency vs. Case Temperature
Threshold Current vs. Case Temerature
19.04.2012
S8810MG
4 of 5
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
S8810MG | Infrared Laser diode | Roithner |
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