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FZT694B 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FZT694B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FZT694B 자료 제공

부품번호 FZT694B 기능
기능 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


FZT694B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FZT694B 데이터시트, 핀배열, 회로
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT694B
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
FEATURES
* High VCEO / Very Low Saturation Voltage
* Gain of 400 at IC=200mA
APPLICATIONS
* Darlington replacement
* Relay / solenoid driver
PARTMARKING DETAIL - FZT694B
C
E
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
B
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Peak Pulse Current
ICM
Continuous Collector Current
IC
Power Dissipation Tamb=25°C
Ptot
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX.
120
120
5
2
1
2
-55 to +150
V
V
V
A
A
W
°C
UNIT CONDITIONS.
Breakdown Voltages
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
VBE(sat)
120
120
5
V
V
V
0.1 µA
0.1 µA
0.25 V
0.5 V
0.9 V
IC=100µA
IC=10mA*
IE=100µA
VCB=100V
VEB=4V
IC=100mA, IB=0.5mA*
IC=400mA, IB=5mA*
IC=1A, IB=10mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
0.9 V
IC=1A, VCE=2V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
Transition Frequency
hFE 500
400
150
fT 130
MHz
Input Capacitance
Cibo
200 pF
Output Capacitance
Cobo
9 pF
Switching Times
ton
toff
80
2900
ns
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%
Spice parameter data is available upon request for this device
IC=100mA, VCE=2V*
IC=200mA, VCE=2V*
IC=400mA, VCE=2V*
IC=50mA, VCE=5V
f=50MHz
VEB=0.5V, f=1MHz
VCB=10V, f=1MHz
IC=100mA, IB!=10mA
IB2=10mA, VCC=50V
3 - 225





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