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FZT696B 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FZT696B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FZT696B 자료 제공

부품번호 FZT696B 기능
기능 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


FZT696B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FZT696B 데이터시트, 핀배열, 회로
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT696B
ISSUE 4 – FEBRUARY 1997
FEATURES
* 250 Volt VCEO
* Gain of 500 at IC=100mA
* Very low saturation voltage
APPLICATIONS
* Darlington replacement
* Battery powered circuits
PARTMARKING DETAIL – FZT696B
C
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
180 V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
180 V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5V
Peak Pulse Current
ICM 1 A
Continuous Collector Current
IC
0.5 A
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
2W
Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V(BR)CBO 180
V IC=100µA
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V(BR)CEO 180
V IC=10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
5
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Turn-OnVoltage
Static Forward Current Transfer
Ratio
Transition Frequency
VBE(sat)
VBE(on)
hFE
fT
500
150
70
0.1
0.1
0.2
0.2
0.25
0.9
0.9
V
µA
µA
V
V
V
V
V
MHz
IE=100µA
VCB=140V
VEB=4V
IC=50mA, IB=0.5mA*
IC=100mA, IB=2mA*
IC=200mA, IB=5mA*
IC=200mA, IB=5mA*
IC=200mA, VCE=5V*
IC=100mA, VCE=5V*
IC=200mA, VCE=5V*
IC=50mA, VCE=5V
f=50MHz
Input Capacitance
Output Capacitance
Switching Times
Cibo
Cobo
ton
toff
200
6
80
4400
pF VEB=0.5V, f=1MHz
pF VCE=10V, f=1MHz
ns IC=100mA, IB1=10mA
ns IB2=10mA, VCC=50V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%
Spice parameter data is available upon request for this device
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