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FZT953 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FZT953은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FZT953 자료 제공

부품번호 FZT953 기능
기능 SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


FZT953 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FZT953 데이터시트, 핀배열, 회로
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT
(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
ISSUE 3 - APRIL 2000
FEATURES
* 5 Amps continuous current , up to 15 Amps peak current
* Very low saturation voltages
* Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps
* Ptot = 3 watts
* FZT951 exhibts extremely low equivalent on resistance;
RCE(sat) 55m at 4A
COMPLEMENTARY TYPES - FZT951 = FZT851
FZT953 = FZT853
PARTMARKING DETAILS - DEVICE TYPE IN FULL
FZT951
FZT953
C
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FZT951
FZT953
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-100
-140
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-60 -100
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-6 V
Peak Pulse Current
ICM
-15 -10
A
Continuous Collector Current
IC
-5 A
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
3W
Operating and Storage Temperature
Range
Tj:Tstg
-55 to +150
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum
3 - 279




FZT953 pdf, 반도체, 판매, 대치품
FZT953
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V(BR)CBO -140 -170
V IC=-100A
Collector-Emitter Breakdown V(BR)CER
Voltage
-140 -170
V IC=-1A, RB1k
Collector-Emitter Breakdown V(BR)CEO
Voltage
-100 -120
V IC=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V(BR)EBO
-6
-8
V IE=-100A
Collector Cut-Off Current
ICBO
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation
Voltage
ICER
R 1k
IEBO
VCE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(sat)
-50 nA
-1 A
-50 nA
-1 A
-10 nA
-20
-90
-160
-300
-50
-115
-220
-420
mV
mV
mV
mV
-1010 -1170 mV
VCB=-100V
VCB=-100V, Tamb=100°C
VCB=-100V
VCB=-100V, Tamb=100°C
VEB=-6V
IC=-100mA, IB=-10mA*
IC=-1A, IB=-100mA*
IC=-2A, IB=-200mA*
IC=-4A, IB=-400mA*
IC=-4A, IB=-400mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
-925 -1160 mV IC=-4A, VCE=-1V*
Static Forward
Current Transfer
Transition Frequency
hFE 100 200
100 200 300
50 90
30 50
15
IC=-10mA, VCE=-1V*
IC=-1A, VCE=-1V*
IC=-3A, VCE=-1V*
IC=-4A, VCE=-1V*
IC=-10A, VCE=-1V*
fT 125 MHz IC=-100mA, VCE=-10V
f=50MHz
Output Capacitance
Cobo
65 pF
Switching Times
ton
toff
110 ns
460 ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle 2%
Spice parameter data is available upon request for this device
VCB=-10V, f=1MHz
IC=-2A, IB1=-200mA
IB2=200mA, VCC=-10V
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