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FZT955 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FZT955은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FZT955 자료 제공

부품번호 FZT955 기능
기능 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


FZT955 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FZT955 데이터시트, 핀배열, 회로
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT
(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
ISSUE 2 – OCTOBER 1995
FEATURES
* 4 Amps continuous current (10 Amps peak current)
* Very low saturation voltages
* Excellent gain characteristics specified up to 3 Amps
PARTMARKING DETAILS – DEVICE TYPE IN FULL
COMPLEMENTARY TYPES – FZT955 - FZT855
FZT956 - N/A
FZT955
FZT956
C
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at Tamb=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
VCBO
VCEO
VEBO
ICM
IC
Ptot
Tj:Tstg
FZT955
FZT956
-180 -220
-140 -200
-6
-10 -5
-4 -2
3
-55 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum
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FZT955 pdf, 반도체, 판매, 대치품
FZT956
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown V(BR)CBO -220 -300
Voltage
V IC=-100µA
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CER -220 -300
V IC=-1µA, RB 1k
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO -200 -240
V IC=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V(BR)EBO -6
-8
V IE=-100µA
Collector Cut-Off Current
ICBO
-50 nA VCB=-200V
-1 µA VCB=-200V,Tamb=100°C
Collector Cut-Off Current
ICER
R 1k
-50 nA VCB=-200V
-1 µA VCB=-200V,Tamb=100°C
Emitter Cut-Off Current
IEBO
Collector-Emitter Saturation VCE(sat)
Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(sat)
-30
-120
-168
-970
-10 nA
-50
-165
-275
mV
mV
mV
-1110 mV
VEB=-6V
IC=-100mA,IB=-10mA*
IC=-1A, IB=-100mA*
IC=-2A, IB=-400mA*
IC=-2A, IB=-400mA
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
-810 -950 mV IC=-2A, VCE=-5V*
Static Forward
hFE 100 200
Current Transfer Ratio
100 200 300
50 150
10
IC=-10mA, VCE=-5V*
IC=-1A, VCE=-5V*
IC=-2A, VCE=-5V*
IC=-5A, VCE=-5V*
Transition Frequency
fT
110 MHz IC=-100mA, VCE=-10V
f=50MHz
Output Capacitance
Cobo
32 pF
Switching Times
ton
toff
67
1140
ns
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%
Spice parameter data is available upon request for this device
VCB=-20V, f=1MHz
IC=-1A, IB1=-100mA
IB2=100mA, VCC=-50V
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