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FZT958 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FZT958은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FZT958 자료 제공

부품번호 FZT958 기능
기능 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


FZT958 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FZT958 데이터시트, 핀배열, 회로
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT
(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
ISSUE 3 - JANUARY 1996
FEATURES
* 1 Amp continuous current
* Up to 2 Amps peak current
* Very low saturation voltage
* Excellent gain characteristics specified up to 1 Amp
COMPLEMENTARY TYPES - FZT957 - FZT857
FZT958 - N/A
PARTMARKING DETAILS - DEVICE TYPE IN FULL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FZT957
FZT957
FZT958
C
E
C
B
FZT958
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-300 -400
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-300 -400
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-6 V
Peak Pulse Current
ICM -2 -1.5 A
Continuous Collector Current
IC
-1 -0.5 A
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
3W
Operating and Storage Temperature
Range
Tj:Tstg
-55 to +150
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum
3 - 289




FZT958 pdf, 반도체, 판매, 대치품
FZT958
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO -400 -600
V IC=-100µA
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CER -400 -600
V IC=-1µA, RB 1k
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO -400 -550
V IC=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO -6
-8
V IE=-100µA
Collector Cut-Off Current
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
ICBO
ICER
R 1k
IEBO
VCE(sat)
VBE(sat)
-50 nA
-1 µA
-50 nA
-1 µA
-10 nA
-100 -150 mV
-150 -200 mV
-340 -400 mV
-830 -950 mV
VCB=-300V
VCB=-300V, Tamb=100°C
VCB=-300V
VCB=-300V, Tamb=100°C
VEB=-6V
IC=-10mA, IB=-1mA*
IC=-100mA, IB=-10mA*
IC=-500mA, IB=-100mA*
IC=-500mA, IB=-100mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
-725 -840 mV IC=-500mA, VCE=-10V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
Transition Frequency
hFE 100 200
100 200 300
10 20
IC=-10mA, VCE=-10V*
IC=-500mA, VCE=-10V*
IC=-1A, VCE=-10V*
fT 85 MHz IC=-100mA, VCE=-10V
f=50MHz
Output Capacitance
Cobo
19 pF
Switching Times
ton
toff
104
2400
ns
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%
Spice parameter data is available upon request for this device
VCB=-20V, f=1MHz
IC=-500mA, IB1=-50mA
IB2=50mA, VCC=-100V
3 - 292

4페이지












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