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부품번호 | IKW50N65H5 기능 |
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기능 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
전체 17 페이지수
IGBT
Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technologycopackedwithRAPID1
fastandsoftantiparalleldiode
IKW50N65H5
650VDuoPackIGBTandDiode
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
IKW50N65H5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
Maximumratings
Parameter
Collector-emitter voltage
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°Cvaluelimitedbybondwire
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
TurnoffsafeoperatingareaVCE≤650V,Tvj≤175°C
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°Cvaluelimitedbybondwire
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
Gate-emitter voltage
TransientGate-emittervoltage(tp≤10µs,D<0.010)
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
Soldering temperature,
wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
Symbol
VCE
IC
ICpuls
-
IF
IFpuls
VGE
Ptot
Tvj
Tstg
M
Value
650
80.0
56.0
150.0
150.0
40.0
27.0
150.0
±20
±30
305.0
145.0
-40...+175
-55...+150
260
0.6
Unit
V
A
A
A
A
A
V
W
°C
°C
°C
Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Diode thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.50 K/W
1.50 K/W
40 K/W
4 Rev.1.1,2012-11-09
4페이지 IKW50N65H5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
DiodeCharacteristic,atTvj=150°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Diode reverse recovery time
Diode reverse recovery charge
trr
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=150°C,
VR=400V,
IF=25.0A,
diF/dt=1200A/µs
Tvj=150°C,
VR=400V,
IF=6.0A,
diF/dt=1200A/µs
- 90 - ns
- 1.31 - µC
- 22.6 - A
- -300 - A/µs
- 50 - ns
- 0.64 - µC
- 19.8 - A
- -600 - A/µs
7 Rev.1.1,2012-11-09
7페이지 | |||
구 성 | 총 17 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
IKW50N65H5 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon Technologies |
IKW50N65H5A | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |
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