Datasheet.kr   

IKW50N65H5 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IKW50N65H5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IKW50N65H5 자료 제공

부품번호 IKW50N65H5 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IKW50N65H5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 17 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

IKW50N65H5 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT
Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technologycopackedwithRAPID1
fastandsoftantiparalleldiode
IKW50N65H5
650VDuoPackIGBTandDiode
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl




IKW50N65H5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IKW50N65H5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
Maximumratings
Parameter
Collector-emitter voltage
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°Cvaluelimitedbybondwire
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
TurnoffsafeoperatingareaVCE650V,Tvj175°C
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°Cvaluelimitedbybondwire
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
Gate-emitter voltage
TransientGate-emittervoltage(tp10µs,D<0.010)
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
Soldering temperature,
wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
Symbol
VCE
IC
ICpuls
-
IF
IFpuls
VGE
Ptot
Tvj
Tstg
M
Value
650
80.0
56.0
150.0
150.0
40.0
27.0
150.0
±20
±30
305.0
145.0
-40...+175
-55...+150
260
0.6
Unit
V
A
A
A
A
A
V
W
°C
°C
°C
Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Diode thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.50 K/W
1.50 K/W
40 K/W
4 Rev.1.1,2012-11-09

4페이지










IKW50N65H5 전자부품, 판매, 대치품
IKW50N65H5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
DiodeCharacteristic,atTvj=150°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Diode reverse recovery time
Diode reverse recovery charge
trr
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=150°C,
VR=400V,
IF=25.0A,
diF/dt=1200A/µs
Tvj=150°C,
VR=400V,
IF=6.0A,
diF/dt=1200A/µs
- 90 - ns
- 1.31 - µC
- 22.6 - A
- -300 - A/µs
- 50 - ns
- 0.64 - µC
- 19.8 - A
- -600 - A/µs
7 Rev.1.1,2012-11-09

7페이지


구       성 총 17 페이지수
다운로드[ IKW50N65H5.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
IKW50N65H5

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

Infineon Technologies
Infineon Technologies
IKW50N65H5A

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

Infineon
Infineon

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵