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FHF8N60 데이터시트 PDF




FEIHONLTD에서 제조한 전자 부품 FHF8N60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FHF8N60 자료 제공

부품번호 FHF8N60 기능
기능 N-channel enhancement mode power MOSFET
제조업체 FEIHONLTD
로고 FEIHONLTD 로고


FHF8N60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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FHF8N60 데이터시트, 핀배열, 회로
描述
FHF8N60N沟道增强型高压功率MOS
场效 应管 。该产品可广泛适用于AC-DC开关电
源,DC-DC电源转换器,高压HPMW马达驱动。
特点
8A,600V,RDS(on)(典型值)0.8
低电荷、低反向传输电容
开关速度快
FHF8N60说明书
极限值(TC=25℃)
参数名称
漏极源极电压
漏极电流 TC=25
栅源电压
耗散功率 TC=25
结温
储存温度
符号
VDSS
ID
VGS
PD
TJ
Tstg
数值
600
8
±30
52
150
-55150
单位
V
A
V
W
特性参数值(TC=25℃)
参数说明
符号
测试条件
漏源反向电压
BVDSS VGS=0V, ID=250µA
漏源截止电流
IDSS VDS =600V, VGS= 0V
栅源截止电流
IGSS VGS = ±30V. VDS= 0V
通态电阻
RDS(on) VGS=10V, ID=3.5A
-源极开启电压 VGS(th)
源漏二极管正向
导通电压
VFsD
VDS = VGS, ID = 250µA
IS=7A,VGS=0V
最小值
600
——
——
——
2.0
——
典型值
——
——
——
0.8
——
——
最大值
——
1.0
±100
1.2
4.0
1.4
单位
V
µA
nA
V
V
1页 共2





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