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BD810 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BD810
기능 Silicon PNP Power Transistors
제조업체 Savantic
로고 Savantic 로고 



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BD810 데이터시트, 핀배열, 회로
SavantIC Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
Product Specification
BD810
DESCRIPTION
·With TO-220C package
·Complement to type BD809
·DC current gain
: hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc
APPLICATIONS
·Designed for use in high power audio
amplifiers utilizing complementary or
quasi complementary circuits.
PINNING
PIN
1
2
3
DESCRIPTION
Emitter
Collector;connected to
mounting base
Base
Absolute maximum ratings (Ta=25 )
SYMBOL
PARAMETER
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
Tj
Tstg
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
CONDITIONS
Open emitter
Open base
Open collector
TC=25
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c
Thermal resistance junction to case
VALUE
-80
-80
-5
-10
-6
90
150
-55~150
UNIT
V
V
V
A
A
W
MAX
1.39
UNIT
/W






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