Datasheet.kr   

K3687-01MR 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 K3687-01MR은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K3687-01MR 자료 제공

부품번호 K3687-01MR 기능
기능 MOSFET ( Transistor ) - 2SK3687-01MR
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


K3687-01MR 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

K3687-01MR 데이터시트, 핀배열, 회로
2SK3687-01MR
www.DataSheet4U.com
FUJI POWER MOSFET
Super FAP-G Series
200311
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Features
High speed switching
No secondary breadown
Avalanche-proof
Low on-resistance
Low driving power
Outline Drawings [mm]
TO-220F
Applications
Switching regulators
DC-DC converters
UPS (Uninterruptible Power Supply)
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
(Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Drain-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate-source voltage
Non-Repetitive
Maximum avalanche current
Non-Repetitive
Maximum avalanche energy
Maximum Drain-Source dV/dt
Peak diode recovery dV/dt
Max. power dissipation
Operating and storage
temperature range
Isolation voltage
Symbol
VDS
VDSX
ID
ID(puls]
VGS
IAS
Ratings
600
600
±16
±64
±30
16
EAS 242.7
dVDS/dt
dV/dt
PD
Tch
Tstg
VISO
20
5
2.16
97
+150
-55 to +150
2
Unit
V
V
A
A
V
A
Remarks
VGS=-30V
Tch<=150°C
mJ L=1.74mH
kV/s
kV/µs
W
VCC=60V *1
VDS<=600V
*2
Ta=25°C
Tc=25°C
°C
°C
kVrms t=60sec, f=60Hz
Equivalent circuit schematic
Drain(D)
Gate(G)
Source(S)
*1 See to Avalanche Energy Graph
*2 IF<= -ID, -di/dt=50A/µs, VCC<= BVDSS, Tch<= 150°C
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)
Item
Drain-source breakdown voltaget
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Forward transcondutance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on time ton
Turn-off time toff
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Avalanche capability
Diode forward on-voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Thermalcharacteristics
Symbol
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
QG
QGS
QGD
IAV
VSD
trr
Qrr
Test Conditions
ID= 250µA VGS=0V
ID= 250µA VDS=VGS
VDS=600V VGS=0V
Tch=25°C
VDS=480V VGS=0V
VGS=±30V VDS=0V
ID=8A VGS=10V
Tch=125°C
ID=8A VDS=25V
VDS=25V
VGS=0V
f=1MHz
VCC=300V ID=8A
VGS=10V
RGS=10
VCC=300V
ID=16A
VGS=10V
L=1.74mH Tch=25°C
IF=16A VGS=0V Tch=25°C
IF=16A VGS=0V
-di/dt=100A/µs Tch=25°C
Min. Typ. Max. Units
600
3.0
6.5
16
10
0.42
13
1590
200
8
29
16
58
8
34
12
10
1.00
0.68
7.8
5.0
25
250
100
0.57
2390
300
12
43.5
24
87
12
51
18
15
1.50
V
V
µA
nA
S
pF
ns
nC
A
V
µs
µC
Item
Thermal resistance
Symbol
Rth(ch-c)
Rth(ch-a)
Test Conditions
channel to case
channel to ambient
Min. Typ.
Max. Units
1.289 °C/W
58.0 °C/W
1




K3687-01MR pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SK3687-01MR
www.DataSheet4U.com
FUJI POWER MOSFET
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
102
I =f(t ):starting
AV AV
Tch=25°C,Vcc=50V
Single Pulse
101
100
10-1
10-2
10-8
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
t [sec]
AV
Maximum Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=0
101
100
10-1
10-2
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t [sec]
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
4

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ K3687-01MR.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
K3687-01MR

MOSFET ( Transistor ) - 2SK3687-01MR

Fuji Electric
Fuji Electric

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵