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부품번호 | FQP12N65 기능 |
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기능 | N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | TOBA | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
TC=25°C
TC=100°C
耗散功率(TC=25°C)
- 大于 25°C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量(注 1)
工作结温范围
贮存温度范围
符号
VDS
VGS
ID
IDM
PD
EAS
TJ
Tstg
参数范围
SVD12N65T
SVD12N65F
650
±30
12
7.6
48
225 51
1.8 0.41
1074
-55~+150
-55~+150
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
符号
RθJC
RθJA
参数范围
SVD12N65T
SVD12N65F
0.56 2.44
62.5 120
电性参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
符号
BBVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
测试条件
VGS=0V,ID=250µA
VDS=650V,VGS=0V
VGS=±30V,VDS=0V
VGS=VDS,ID=250µA
VGS=10V,ID=6.0A
VDS=25V,VGS=0V,
f=1.0MHz
VDD=325V,ID=12A,
RG=25Ω
(注 2,3)
VDS=520V,ID=12A,
VGS=10V
(注 2,3)
最小值
650
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
0.64
1830
155
2
50
49
310
54
51.7
9.6
18.6
最大值
--
1.0
±100
4.0
0.8
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
A
A
W
W/°C
mJ
°C
°C
单位
°C/W
°C/W
单位
V
µA
nA
V
Ω
pF
ns
nC
典型特性曲线(续)
图7、击穿电压vs.温度
1.2
1.1
1
0.9
0.8
-100
-50
注:
1. VGS = 0 V
2. ID = 250 µA
0 50 100 150 200
TJ, 结温[°C]
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
-100
图8、导通电阻vs.温度
注:
1. VGS = 10 V
2. ID = 6.0 A
-50 0
50 100 150
TJ, 结温[°C]
200
图 9-1. 最大安全工作区域(SVD12N65T)
102
100µs
101 1ms
10ms
DC
100 此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
10-2
100
注:
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.单个脉冲
101 102
VDS,漏源电压[V]
103
图 9-2. 最大安全工作区域(SVD12N65F)
102
100µs
101 1ms
10ms
100
此区域工作受限于RDS(ON)
DC
10-1
10-2
100
注:
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.单个脉冲
101 102
VDS,漏源电压[V]
103
12
10
8
6
4
2
0
25
图10. 最大漏电流vs. 壳温
50 75 100 125 150
TC, 壳温[°C]
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
FQP12N60 | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
FQP12N60C | FQP12N60C/FQPF12N60C | Fairchild Semiconductor |
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