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CSD16401Q5 데이터시트 PDF




CICLON에서 제조한 전자 부품 CSD16401Q5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 CSD16401Q5 자료 제공

부품번호 CSD16401Q5 기능
기능 NexFET Power MOSFETs
제조업체 CICLON
로고 CICLON 로고


CSD16401Q5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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CSD16401Q5 데이터시트, 핀배열, 회로
N-Channel
CICLON NexFETPower MOSFETs
CSD16401Q5
Features
Ultra Low Qg & Qgd
Low Thermal Resistance
Avalanche Rated
Pb Free Terminal Plating
G
S
S
S
D
D
D
D
S1
S2
S3
G4
D
8D
7D
6D
5D
RoHS Compliant
Halogen Free
QFN 5mm x 6mm Plastic Package
Top View
Product Summary
VDS
Qg
Qgd
RDS(on)
Vth
25
21
5.2
VGS=4.5V
VGS=10V
1.5
1.8
1.3
V
nC
nC
m
m
V
Maximum Values (TA=25oC unless otherwise stated)
Symbol
Parameter
VDS Drain to Source Voltage
VGS Gate to Source Voltage
ID Continuous Drain Current, TC = 25°C
Continuous Drain Current1
IDM Pulsed Drain Current, TA = 25°C2
PD Power Dissipation1
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage Temperature Range
EAS Avalanche Energy, single pulse ID =100A, L = 0.1mH, RG = 25Ω
1. Rθja = 400C/W on 1in2 Cu (2 oz.) on 0.060” thick FR4 PCB.
2. Pulse width 300 µs, duty cycle 2%
RDS(ON) vs. VGS
6.0
5.0
ID = 40A
Gate Charge
12
10
4.0 8
Value
25
+16 / -12
100
38
240
3.1
-55 to 150
500
Units
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
3.0
2.0
1.0
0.0
0
TC = 125ºC
TC = 25ºC
2 4 6 8 10
VGS - Gate to Source Voltage (V)
12
6
4
2 VDS = 12.5V
ID = 40A
0
0 10 20 30 40 50 60
Qg - Gate Charge (nC)
Ordering Information
Type
CSD16401Q5
Package
QFN 5X6 Plastic Package
© 2008 CICLON Semiconductor Device Corp., rev 2.5
All rights reserved.
Package Media
13 inch reel
Qty
2500
Ship
Tape and Reel
www.ciclonsemi.com




CSD16401Q5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
N-Channel
CICLON NexFETPower MOSFETs
CSD16401Q5
Typical MOSFET Characteristics (TA = 25oC unless otherwise stated)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
VGS = 10V
VGS = 4.5V
VGS = 3.5V
VGS = 3.0V
VGS = 2.5V
0.5 1 1.5 2
VDS - Drain to Source Voltage (V)
2.5
3
Figure 2: Saturation Characteristics
12
VDS = 12.5V
10 ID = 40A
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60
Qg - Gate Charge (nC)
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-75
Figure 4: Gate Charge
ID = 250µA
-25 25 75 125
TC - Case tem perature (°C)
175
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.5
VDS = 5V
TC = -55º C
TC = 25ºC
TC = 125º C
2 2.5 3
VGS - Gate to Source Voltage (V)
3.5
Figure 3: Transfer Characteristics
9
8 VGS = 0V, f = 1MHz
7
6 CISS = CGD+CGS
5
COSS =CDS+CGD
CRSS = CGD
4
3
2
1
0
0 5 10 15 20 25
VDS - Drain to Source Voltage (V)
Figure 5: Capacitance
6.0
ID = 40A
5.0
4.0
3.0 TC = 125ºC
TC = 25ºC
2.0
1.0
0.0
0
2 4 6 8 10
VGS - Gate to Source Voltage (V)
12
Figure 6: Threshold Voltage vs. Temperature
Figure 7: On Resistance vs. Gate Voltage
© 2008 CICLON Semiconductor Device Corp., rev 2.5
All rights reserved.
www.ciclonsemi.com

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CSD16401Q5 전자부품, 판매, 대치품
N-Channel
CICLON NexFETPower MOSFETs
CSD16401Q5
Q5 Tape and Reel Information
Note:
1. 10 SPROCKET HOLE PITCH CUMULATIVE TOLERANCE +/-0.2
2. CAMBER NOT TO EXCEED 1mm IN 100mm, NONCUMULATIVE OVER 250mm
3. MATERIAL:BLACK STATIC DISSIPATIVE POLYSTYRENE
4. ALL DIMENSIONS ARE IN mm (UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
5. THICKNESS: 0.30 +/-0.05mm
Package Marking Information
Location:
1st Line
CSD = Fixed Characters
NNNNN = Product Code
2nd Line (Date Code)
YY = Last 2 digits of the Year
WW = 2-digit Work Week
C = Country of Origin
> Philippines = P
> Taiwan = T
> China = C
3rd Line
LLLLL= Last 5 digits of the Wafer Lot #
85
CSDNNNNN
YYWWC
LLLLL
1
PIN 1
IDENTIFIER
4
© 2008 CICLON Semiconductor Device Corp., rev 2.5
All rights reserved.
58
41
www.ciclonsemi.com
C
Y

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