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CFF8N80 데이터시트 PDF




CRE에서 제조한 전자 부품 CFF8N80은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 CFF8N80 자료 제공

부품번호 CFF8N80 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 CRE
로고 CRE 로고


CFF8N80 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CFF8N80 데이터시트, 핀배열, 회로
7.8 Amps800Volts
N-Channel MOSFET
Description
The HX8N80(C) N-Channel enhancement mode silicon gate power
MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching
applications such as switching regulators, switching converters,
solenoid, motor drivers, relay drivers.
Features
RDS(ON) = 1.75 Ω@VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 27nC)
High ruggedness
Fast switching capability
Avalanche energy specified
Improved dv/dt capability
Symbol
CFF/P8N80
Ordering Information
Order Number
Normal
Lead Free Plating
HX8N80(C)-TA3-T
HX8N80(C)L-TA3-T
HX8N80(C)-TF3-T
HX8N80(C)L-TF3-T
Note:Pin Assignment: G:Gate D:Drain S:Source
HX8N80(C)L-TA3-T
1Packing Type
2Package Type
3Lead Plating
Package
TO-220
TO-220F
Pin Assignment
123
GD S
GD S
Packing
Tube
Tube
(1)T:Tube,R:Tape Reel
(2)TA3:TO-220,TF3:TO-220F
(3)L:Lead Free Plating BlankPb/Sn
Absolute Maximum Ratings(Tc=25,unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Ratings
TO-220 TO-220F
Drain-Source Voltage
VDSS
800
Gate-Source Voltage
Drain Currenet Continuous
Tc=25
Tc=100
Drain Current Pulsed
(Note 1)
VGSS
ID
IDP
7.8
4.5
26.4
±30
7.8
4.5
26.4
Avalanche Energy
Repetitive (Note 1)
Single Pulse (Note 2)
EAR
EAS
6.6
580
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
dv/dt
4.5
Total Power Dissipation
Tc=25
Derate above 25
PD
167 56
1.33 0.44
Junction Temperature
TJ +150
天津环鑫科技发展有限公司
TIANJIN HUANXIN TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO., LTD
Units
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V/ns
W
W/
1




CFF8N80 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Continued)
CFF/P8N80
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for TO220
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for TO220F
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
天津环鑫科技发展有限公司
TIANJIN HUANXIN TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO., LTD
4

4페이지












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