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STT3962N 데이터시트 PDF




SeCoS에서 제조한 전자 부품 STT3962N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STT3962N 자료 제공

부품번호 STT3962N 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 SeCoS
로고 SeCoS 로고


STT3962N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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STT3962N 데이터시트, 핀배열, 회로
Elektronische Bauelemente
STT3962N
N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
2.3 A, 60 V, RDS(ON) 0.153
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen and lead-free
DESCRIPTION
These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density
process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves
energy, making this device ideal for use in power management
circuitry. Typical applications are DC-DC converters, power
management in portable and battery-powered products such as
computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
TSOP-6
A
E
L
654
B
FEATURES
Low RDS(on) provides higher efficiency and extends battery life.
Miniature TSOP-6 surface mount package saves board space.
123
F
DG
K
C
H
J
PRODUCT SUMMARY
PRODUCT SUMMARY
VDS(V)
60
RDS(on) (
0.153@VGS= 10V
0.185@VGS= 4.5V
ID(A)
2.3
2.1
G
S
G
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
2.70 3.10
2.60 3.00
1.40 1.80
1.10 MAX.
1.90 REF.
0.30 0.50
REF.
G
H
J
K
L
Millimeter
Min. Max.
0 0.10
0.60 REF.
0.12 REF.
0° 10°
0.95 REF.
D
S
D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current a
Pulsed Drain Current b
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
VDS
VGS
ID @TA=25
ID @TA=70
IDM
IS
PD @TA=25
PD @TA=70
Tj, Tstg
Ratings
Maximum
60
±20
2.3
1.9
8
1.05
1.15
0.7
-55 ~ 150
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction to Ambient a
Notes
t 10 sec
Steady State
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Symbol
RJA
Maximum
100
166
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
Unit
°C / W
http://www.SeCoSGmbH.com/
20-Aug-2010 Rev. B
Any changes of specification will not be informed individually.
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STT3962N pdf, 반도체, 판매, 대치품
Elektronische Bauelemente
CHARACTERISTIC CURVES
STT3962N
N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
2.3 A, 60 V, RDS(ON) 0.153
http://www.SeCoSGmbH.com/
20-Aug-2010 Rev. B
Any changes of specification will not be informed individually.
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