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GA200TD120U 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 GA200TD120U은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 GA200TD120U 자료 제공

부품번호 GA200TD120U 기능
기능 HALF-BRIDGE IGBT DOUBLE INT-A-PAK
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


GA200TD120U 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

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GA200TD120U 데이터시트, 핀배열, 회로
PRELIMINARY
"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK
Features
• Generation 4 IGBT technology
• UltraFast: Optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
• Very low conduction and switching losses
• HEXFREDantiparallel diodes with ultra- soft
recovery
• Industry standard package
• UL approved
Benefits
• Increased operating efficiency
• Direct mounting to heatsink
• Performance optimized for power conversion: UPS,
SMPS, Welding
• Lower EMI, requires less snubbing
PD - 5.061B
GA200TD120U
Ultra-FastTM Speed IGBT
VCES = 1200V
VCE(on) typ. = 2.3V
@VGE = 15V, IC = 200A
Absolute Maximum Ratings
VCES
IC @ TC = 25°C
ICM
ILM
IFM
VGE
VISOL
PD @ TC = 25°C
PD @ TC = 85°C
TJ
TSTG
Parameter
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Peak Switching Current‚
Peak Diode Forward Current
Gate-to-Emitter Voltage
RMS Isolation Voltage, Any Terminal To Case, t = 1 min
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Max.
1200
200
400
400
400
±20
2500
1040
540
-40 to +150
-40 to +125
Units
V
A
V
W
°C
Thermal / Mechanical Characteristics
RθJC
RθJC
RθCS
www.irf.com
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case - IGBT
Thermal Resistance, Junction-to-Case - Diode
Thermal Resistance, Case-to-Sink - Module
Mounting Torque, Case-to-Heatsink
Mounting Torque, Case-to-Terminal 1, 2 & 3ƒ
Weight of Module
Typ.
0.1
400
Max.
0.12
0.20
4.0
3.0
Units
°C/W
N.m
g
1
3/20/98




GA200TD120U pdf, 반도체, 판매, 대치품
GA200TD120U
250
200
150
100
50
0
25 50 75 100 125 150
TC , Case Temperature ( °C)
3.0
VGE = 15V
80 us PULSE WIDTH
2.0
IC =400 A
IC =200 A
IC =100 A
1.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (° C)
Fig. 4 - Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
Fig. 5 - Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
1
0.1
D = 0.50
0.01
0.001
0.0001
0 .2 0
0.10
0.05
0 .0 2
0.01 S IN G LE P U LS E
(THERMAL RESPONSE)
PDM
Notes:
1. Duty factor D = t1 / t 2
t1
t2
2. Peak TJ = PDM x Z thJC + TC
0.001
0.01
0.1
1
10
t1, Rectangular Pulse Duration (sec)
100
A
1000
Fig. 6 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
4 www.irf.com

4페이지










GA200TD120U 전자부품, 판매, 대치품
400
IF = 400A
IF = 200A
300 I F = 100A
200
100
VR = 7 20V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0
500
1000
1500
di f /dt - (A/µs)
2000
Fig. 15 - Typical Reverse Recovery vs. dif/dt
GA200TD120U
250
VR = 72 0V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
200
IF = 400A
IF = 200A
150 IF = 100A
100
50
0
500
1000
1500
2000
di f /dt - (A/µs)
Fig. 16 - Typical Recovery Current vs. dif/dt
www.irf.com
7

7페이지


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