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D458 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 D458 기능
기능 2SD458
제조업체 Inchange Semiconductor
로고 Inchange Semiconductor 로고 


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D458 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
isc Product Specification
2SD458
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 400V(Min)
·High Power Dissipation-
: PC= 80W(Max)@TC=25
APPLICATIONS
·Designed for high power amplifier and switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
VCER
Collector-Emitter Voltage RBE= 50Ω
VCEO
Collector-Emitter Voltage
600 V
600
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V
400 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
5A
ICM Collector Current-Peak
10 A
IBB Base Current-Continuous
2A
IBM Base Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
3A
80 W
150
-65~150
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/





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