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부품번호 | JCS2N60U 기능 |
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기능 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor | ||
제조업체 | JILIN SINO-MICROELECTRONICS | ||
로고 | |||
R N 沟道增强型场效应晶体管
JCS2N60 U/I
产品特性
◆600V,RDS=5.0 Ω@VGS=10V
◆低栅极电荷(典型值 12.5nC)
◆低 Crss(典型值 7.6pF)
◆开关速度快
◆产品全部经过雪崩测试
◆高抗 dv/dt 能力
主要用途
◆高频开关电源
◆电子镇流器
◆UPS 电源
概述
JCS2N60U/I 是 N 沟道增强型场效应晶体管,采用平
面 VDMOS 技术制造。利用该技术可以获得最低的导通电阻,
提高开关特性,提高产品在雪崩击穿和串并模式下承受高
能量脉冲的能力。
绝对最大额定值(除特殊标注外,Tc=25℃)
项目
符号
最高漏极-源极直流电压
VDSS
连续漏极电流
ID T=25℃
T=100℃
最大脉冲漏极电流(注 1)
IDM(注 1)
最高栅源电压
VGSS
单脉冲雪崩能量(注 2)
EAS(注 2)
雪崩电流(注 1)
IAR(注 1)
重复雪崩能量
EAR(注 1)
二极管反向恢复最大电压变化速率(注 3) dv/dt(注 3)
耗散功率
PD TC=25℃
-高于 25℃递减
最高结温及存储温度
引线最高焊接温度
TJ,TSTG
TL
*漏极电流由最高结温限制
TO-251
TO-252
等效电路图
器件
JCS2N60U
JCS2N60I
封装
TO-252
TO-251
JCS2N60U/ JCS2N60I
600
1.8
1.1
6.0
±30
120
1.8
4.4
5.5
44
0.35
-55~+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本:200810A
1/11
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JCS2N608,
⠜ᴀ:200810A
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4페이지 JCS2N608,
⠜ᴀ:200810A
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구 성 | 총 11 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
JCS2N60 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor | ETC |
JCS2N60 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor | ETC |
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