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JCS2N60U 데이터시트 PDF




JILIN SINO-MICROELECTRONICS에서 제조한 전자 부품 JCS2N60U은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JCS2N60U 자료 제공

부품번호 JCS2N60U 기능
기능 N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor
제조업체 JILIN SINO-MICROELECTRONICS
로고 JILIN SINO-MICROELECTRONICS 로고


JCS2N60U 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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JCS2N60U 데이터시트, 핀배열, 회로
R N 沟道增强型场效应晶体管
JCS2N60 U/I
产品特性
600V,RDS=5.0 @VGS=10V
低栅极电荷(典型值 12.5nC)
Crss(典型值 7.6pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗 dv/dt 能力
主要用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS 电源
概述
JCS2N60U/I 是 N 沟道增强型场效应晶体管,采用平
面 VDMOS 技术制造。利用该技术可以获得最低的导通电阻,
提高开关特性,提高产品在雪崩击穿和串并模式下承受高
能量脉冲的能力。
绝对最大额定值(除特殊标注外,Tc=25℃)
项目
符号
最高漏极-源极直流电压
VDSS
连续漏极电流
ID T=25℃
T=100℃
最大脉冲漏极电流(注 1
IDM(注 1)
最高栅源电压
VGSS
单脉冲雪崩能量(注 2
EAS注 2
雪崩电流(注 1
IAR注 1
重复雪崩能量
EAR注 1
二极管反向恢复最大电压变化速率(注 3) dv/dt(注 3
耗散功率
PD TC=25℃
高于 25℃递减
最高结温及存储温度
引线最高焊接温度
TJ,TSTG
TL
*漏极电流由最高结温限制
TO-251
TO-252
等效电路图
器件
JCS2N60U
JCS2N60I
封装
TO-252
TO-251
JCS2N60U/ JCS2N60I
600
1.8
1.1
6.0
±30
120
1.8
4.4
5.5
44
0.35
-55~+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
版本:200810A
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JCS2N60U pdf, 반도체, 판매, 대치품
⡍ᕕ᳆㒓
JCS2N608,


⠜ᴀ:200810A

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JCS2N60U 전자부품, 판매, 대치품
JCS2N608,
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