Datasheet.kr   

JCS2N60T 데이터시트 PDF




JILIN SINO-MICROELECTRONICS에서 제조한 전자 부품 JCS2N60T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 JCS2N60T 자료 제공

부품번호 JCS2N60T 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 JILIN SINO-MICROELECTRONICS
로고 JILIN SINO-MICROELECTRONICS 로고


JCS2N60T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 15 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

JCS2N60T 데이터시트, 핀배열, 회로
R JCS2N60C
JCS2N60C
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 2.0 A
VDSS 600 V
RdsonVgs=10V4.5 Ω
Qg 8 nC
封装 Package
用途
高频开关电源
电子镇流器
LED 电源
产品特性
低栅极电荷
Crss (典型值 3.8pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗 dv/dt 能力
RoHS 产品
APPLICATIONS
High efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
LED power supplie
FEATURES
Low gate charge
Low Crss (typical 3.8pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
JCS2N60TC-O-T-N-B
JCS2N60VC-O-V-N-B
JCS2N60RC-O-R-N-B
JCS2N60CC-O-C-N-B
JCS2N60FC-O-F-N-B
JCS2N60FC-O-F2-N
-B
JCS2N60T
JCS2N60V
JCS2N60R
JCS2N60C
JCS2N60F
JCS2N60F
封装
Package
TO-92
IPAK
DPAK
TO-220C
TO-220MF
TO-220MF
-K2
无卤素
Halogen Free Packaging
NO
NO
NO
NO
NO
NO
编带 Brede
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
器件重量
Device
Weight
0.22 g(typ)
0.35 g(typ)
0.30 g(typ)
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
2.20 g(typ)
版本:201502D
1/15




JCS2N60T pdf, 반도체, 판매, 대치품
R JCS2N60C
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
td(on)
tr
VDD=300V,ID=2.0A,RG=25Ω - 9 25 ns
note 45
- 30 48 ns
延迟时间 Turn-Off delay time
td(off)
- 27 46 ns
下降时间 Turn-Off Fall time
tf
- 32 49 ns
栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg
VDS =480V ,
- 8 10 nC
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
Qgs
Qgd
ID=2.0A
VGS=10V note 45
- 1.3 -
- 4.3 -
nC
nC
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS - - 1.9 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM - - 6.0 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward VSD VGS=0V, IS=2.0A
Voltage
- - 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Qrr
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
VGS=0V, IS=2.0A
dIF/dt=100A/μs (note 4)
- 220 - ns
- 1.0 - μC
最大
项目
符号
Max 单 位
Parameter
Symbol JCS2N60 JCS2N60 JCS2N60 JCS2N60 Unit
VC/RC TC FC CC
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c)
2.87
-
5.5 2.32 /W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to
Ambient
Rth(j-A)
110
120
62.5 /W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2L=56mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结
TJ=25
3ISD 2A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25
4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2
5:基本与工作温度无关
Notes:
1Pulse width limited by maximum junction temperature
2L=56mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25
3ISD 2A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25
4Pulse TestPulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2
5Essentially independent of operating temperature
版本:201502D
4/15

4페이지










JCS2N60T 전자부품, 판매, 대치품
R
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS2N60VC/RC
JCS2N60C
Transient Thermal Response Curve
For JCS2N60CC
Transient Thermal Response Curve
For JCS2N60FC
版本:201502D
7/15

7페이지


구       성 총 15 페이지수
다운로드[ JCS2N60T.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
JCS2N60

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor

ETC
ETC
JCS2N60

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor

ETC
ETC

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵