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PDF H1270 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | H1270 | |
| Descripción | PNP SIlicon Transistor | |
| Fabricantes | Huashan | |
| Logotipo |  |
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
PNP SILICON TRANSISTOR
H1270
█ CENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation…………………………………500mW
VCBO——Collector-Base Voltage………………………………-35V
VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-30V
VEBO——Emitter-Base Voltage………………………………-5V
IC——Collector Current……………………………………-500mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，C
3―Base，B
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）
Symbol
Characteristics
Min Typ Max Unit
Test Conditions
ICBO Collector Cut-off Current
-100 nA VCB=-35V, IE=0
IEBO Emitter Cut-off Current
-100 nA VEB=-5V, IC=0
HFE（1） DC Current Gain
70 240 VCE=-1V, IC=-100mA
HFE（2）
25 VCE=-6V, IC=-400mA
VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage
-0.1 -0.25 V IC=-100mA, IB=-10mA
VBE Base-Emitter Voltage
-0.8 -1.0 V IC=-1A, IB=-100mA
fT Current Gain-Bandwidth Product
200 MHz VCE=-6V, IC=-20mA
Cob Output Capacitance
13 pF VCB=-6V, IE=0，f=1MHz
█ hFE Classification
O
70—140
Y
120—240
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| H1270 | PNP SIlicon Transistor | Huashan |
| H1277 | HIGH SENSITIVITY HALL EFFECT SENSOR IC |  Unisonic Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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