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IPU50R3K0CE 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IPU50R3K0CE은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IPU50R3K0CE 자료 제공

부품번호 IPU50R3K0CE 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IPU50R3K0CE 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IPU50R3K0CE 데이터시트, 핀배열, 회로
IPD50R3K0CE,IPU50R3K0CE
MOSFET
500VCoolMOSªCEPowerTransistor
CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™CEisa
price-performanceoptimizedplatformenablingtotargetcostsensitive
applicationsinConsumerandLightingmarketsbystillmeetinghighest
efficiencystandards.Thenewseriesprovidesallbenefitsofafast
switchingSuperjunctionMOSFETwhilenotsacrificingeaseofuseand
offeringthebestcostdownperformanceratioavailableonthemarket.
Features
•ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss
•Veryhighcommutationruggedness
•Easytouse/drive
•Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound
•Qualifiedforstandardgradeapplications
Applications
PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages
fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTVandindoorlighting.
Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate
orseparatetotempolesisgenerallyrecommended
DPAK
tab
2
1
3
IPAK
tab
12 3
Gate
Pin 1
Drain
Pin 2
Source
Pin 3
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS @ Tj,max
550
V
RDS(on),max
3
ID 2.6 A
Qg.typ
4.3
nC
ID,pulse
4.1
A
Eoss@400V
0.49
µJ
Type/OrderingCode
IPD50R3K0CE
IPU50R3K0CE
Package
PG-TO 252
PG-TO 251
Marking
50S3K0CE
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Final Data Sheet
1 Rev.2.3,2016-06-13




IPU50R3K0CE pdf, 반도체, 판매, 대치품
500VCoolMOSªCEPowerTransistor
IPD50R3K0CE,IPU50R3K0CE
3Electricalcharacteristics
Table4Staticcharacteristics
Parameter
Symbol
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage curent
Drain-source on-state resistance
Gate resistance
V(BR)DSS
V(GS)th
IDSS
IGSS
RDS(on)
RG
Min.
500
2.50
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
--
3 3.50
-1
10 -
- 100
2.70 3.00
7.02 -
6-
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=1mA
V VDS=VGS,ID=0.03mA
µA
VDS=500V,VGS=0V,Tj=25°C
VDS=500V,VGS=0V,Tj=150°C
nA VGS=20V,VDS=0V
VGS=13V,ID=0.4A,Tj=25°C
VGS=13V,ID=0.4A,Tj=150°C
f=1MHz,opendrain
Table5Dynamiccharacteristics
Parameter
Symbol
Input capacitance
Output capacitance
Effective output capacitance, energy
related1)
Effective output capacitance, time
related2)
Turn-on delay time
Ciss
Coss
Co(er)
Co(tr)
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Min.
-
-
-
Values
Typ. Max.
84 -
7-
6-
Unit Note/TestCondition
pF VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=0...400V
- 19 - pF ID=constant,VGS=0V,VDS=0...400V
-
7.3 -
ns
VDD=400V,VGS=13V,ID=0.5A,
RG=5.3
-
5.8 -
ns
VDD=400V,VGS=13V,ID=0.5A,
RG=5.3
-
23 -
ns
VDD=400V,VGS=13V,ID=0.5A,
RG=5.3
-
49 -
ns
VDD=400V,VGS=13V,ID=0.5A,
RG=5.3
Table6Gatechargecharacteristics
Parameter
Symbol
Gate to source charge
Gate to drain charge
Gate charge total
Gate plateau voltage
Qgs
Qgd
Qg
Vplateau
Min.
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
0.5 -
2.6 -
4.3 -
5.3 -
Unit Note/TestCondition
nC VDD=400V,ID=0.5A,VGS=0to10V
nC VDD=400V,ID=0.5A,VGS=0to10V
nC VDD=400V,ID=0.5A,VGS=0to10V
V VDD=400V,ID=0.5A,VGS=0to10V
1)Co(er)isafixedcapacitancethatgivesthesamestoredenergyasCosswhileVDSisrisingfrom0to80%V(BR)DSS
2)Co(tr)isafixedcapacitancethatgivesthesamechargingtimeasCosswhileVDSisrisingfrom0to80%V(BR)DSS
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4 Rev.2.3,2016-06-13

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IPU50R3K0CE 전자부품, 판매, 대치품
500VCoolMOSªCEPowerTransistor
IPD50R3K0CE,IPU50R3K0CE
Diagram5:Typ.outputcharacteristicsTj=25°C
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
5 10
VDS[V]
ID=f(VDS);Tj=25°C;parameter:VGS
15
20 V
10 V
8V
7V
Diagram6:Typ.outputcharacteristicsTj=125°C
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
6 V 1.0
5.5 V
5V
4.5 V
20
0.5
0.0
0
5 10
VDS[V]
ID=f(VDS);Tj=125°C;parameter:VGS
15
20 V
10 V
8V
7V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
20
Diagram7:Typ.drain-sourceon-stateresistance
10.0
9.5 5 V
6V
9.0 5.5 V
6.5 V
7V
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
10 V
6.0
5.5
5.0
0.0 0.5 1.0 1.5
ID[A]
RDS(on)=f(ID);Tj=125°C;parameter:VGS
2.0
Diagram8:Drain-sourceon-stateresistance
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5 98%
5.0
4.5 typ
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
2.5 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj[°C]
RDS(on)=f(Tj);ID=0.4A;VGS=13V
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