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부품번호 | KTD2059 기능 |
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기능 | TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
KTD2059
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
FEATURES
ᴌComplementary to KTB1367.
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation (Tc=25ᴱ)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
RATING
100
100
5
5
0.5
30
150
-55ᴕ150
UNIT
V
V
V
A
A
W
ᴱ
ᴱ
A
U
E
LL
M
DD
NN
T
T
123
C
DIM MILLIMETERS
A 10.30 MAX
B 15.30 MAX
C 2.70Ź0.30
S D 0.85 MAX
E Ѹ3.20Ź0.20
F 3.00Ź0.30
G 12.30 MAX
T
RH
0.75 MAX
J 13.60Ź0.50
K 3.90 MAX
L 1.20
VM
N
1.30
2.54
O 4.50Ź0.20
P 6.80
Q 2.60Ź0.20
HR
S
10Ɓ
25Ş
T 5Ş
U 0.5
V 2.60Ź0.15
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
TO-220IS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
Transition Frequency
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
hFE(1) (Note)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE
fT
VCB=100V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IC=50mA, IB=0
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=4A
IC=4A, IB=0.4A
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=1A
Collector Output Capacitance
Cob VCB=10V, IE=0, f=1MHz
Note : hFE(1) Classification R:40ᴕ80, O:70ᴕ140, Y:120ᴕ240
MIN.
-
-
100
40
20
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
12
100
MAX.
100
1.0
-
240
-
2.0
1.5
-
-
UNIT
ỌA
mA
V
V
V
MHz
pF
1995. 2. 24
Revision No : 1
1/2
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KTD2058 | Silicon NPN Power Transistors | Inchange Semiconductor |
KTD2058 | TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR | KEC |
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