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부품번호 | 2SAR513P 기능 |
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기능 | Midium Power Transistors | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
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전체 5 페이지수
Midium Power Transistors (-50V / -1A)
2SAR513P
Structure
PNP Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -500mA / -25mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Packaging specifications
Package
Type Code
Taping
T100
Basic ordering unit (pieces) 1000
2SAR513P
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
Parameter
Symbol Limits
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
DC
Pulsed
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP *1
PD *2
PD *3
Tj
Tstg
-50
-50
-6
-1
-2
0.5
2
150
-55 to 150
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm³)
Unit
V
V
V
A
A
W
W
C
C
Dimensions (Unit : mm)
(1) (2) (3)
Abbreviated symbol : MC
Inner circuit (Unit : mm)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
www.rohm.com
○c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.12 - Rev.A
2SAR513P
Switching time test circuit
VIN
Pw
Pw ~_ 50μs
DUTY CYCLE1%
RL=20Ω
IB1
IC
IB2
Data Sheet
VCC ~_ -10V
BASE CURENT WAVEFORM
COLLECTOR CURRENT WAVEFORM
90%
ton
10%
tstg tf
IB2
IB1
IC
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○c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.12 - Rev.A
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SAR513P | Midium Power Transistors | ROHM Semiconductor |
2SAR513P5 | Middle Power Transistors | ROHM Semiconductor |
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