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A2069 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 A2069은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 A2069 자료 제공

부품번호 A2069 기능
기능 PNP Transistor - 2SA2069
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


A2069 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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A2069 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SA2069
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
2SA2069
Unit: mm
High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.15 A)
Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.14 V (max)
High-speed switching: tf = 37 ns (typ.)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
DC
Pulse
Base current
Collector power
dissipation
t = 10 s
DC
Junction temperature
Storage temperature range
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
(Note 1)
Tj
Tstg
20
20
7
1.5
2.5
150
2.0
1.0
150
55 to 150
V
V
V
A
mA
W
°C
°C
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu
area: 645 mm2)
JEDEC
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1 2006-11-09




A2069 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SA2069
1000
rth – tw
100
10
1
0.001
0.01
Curves should be applied in thermal limited area.
Single nonrepetitive pulse Ta = 25°C
Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu
area: 645 mm2)
0.1 1 10 100 1000
Pulse width tw (s)
Safe Operating Area
10
IC max (pulsed) 10 ms1 ms100 μs
IC max (continuous) 100 ms*
1
10 s*
DC operation *
(Ta = 25°C)
: Single nonrepetitive pulse
0.1
Ta = 25°C
Note that the curves for 100 ms*,
10 s* and DC operation* will be
different when the devices aren’t
mounted on an FR4 board (glass
epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm2). These characteristic
curves must be derated linearly
with increase in temperature.
0.01
0.1
1
10
Collector-emitter voltage VCE (V)
100
4 2006-11-09

4페이지












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