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FS450R12KE3 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 FS450R12KE3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FS450R12KE3 자료 제공

부품번호 FS450R12KE3 기능
기능 IGBT-Module
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


FS450R12KE3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FS450R12KE3 데이터시트, 핀배열, 회로
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS450R12KE3
-EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode
-EconoPACK™+withtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage

VCES 
IC nom
IC

ICRM 
Ptot 
VGES 
1200
450
600
900
2100
+/-20
V

A
A
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 450 A, VGE = 15 V
IC = 450 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 18,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 450 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 450 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 450 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 450 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH
VGE = ±15 V
RGon = 1,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP 10 µs, Tvj = 125°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

VCE sat
VGEth
QG
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
tr
td off
tf
Eon
Eoff
ISC
RthJC
RthCH
Tvj op
min. typ. max.
1,70 2,15
2,00
V
V
5,0 5,8 6,5 V
 4,30  µC
 1,7 
 32,0  nF
 1,50  nF
  5,0 mA
  400 nA
0,25
 0,30 
µs
µs
0,09
 0,10 
µs
µs
0,55
 0,65 
µs
µs
0,13
 0,16 
µs
µs
mJ
 33,0  mJ
mJ
 65,0  mJ
 1800 
A
  0,06 K/W
 0,048
K/W
-40  125 °C
preparedby:MB
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1
1




FS450R12KE3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS450R12KE3
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
900
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
750
600
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
900
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
750 VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
600
450 450
300 300
150 150
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
900
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
750
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.6,RGoff=1.6,VCE=600V
140
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
120
100
600
80
450
60
300
40
150 20
0
56
preparedby:MB
approvedby:WR
7
89
VGE [V]
10 11 12
0
0
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1
4
150 300 450 600 750 900
IC [A]

4페이지










FS450R12KE3 전자부품, 판매, 대치품
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS450R12KE3
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
J
preparedby:MB
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1
7

7페이지


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