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CNB1304H 데이터시트 PDF




Panasonic에서 제조한 전자 부품 CNB1304H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 CNB1304H 자료 제공

부품번호 CNB1304H 기능
기능 Reflective photosensor
제조업체 Panasonic
로고 Panasonic 로고


CNB1304H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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CNB1304H 데이터시트, 핀배열, 회로
Reflective Photosensors (Photo Reflectors)
CNB1304H (ON2175)
Reflective photosensor
Tape end sensor for DAT
Overview
CNB1304H is a sensor which consists of a high efficiency GaAs
infrared light emitting diode and a high sensitivity Si phototransistor
which are arranged together in the same direction. It detects the
beginning and end of a tape based on changes in the amount of light
reflected from a prism which is situated outside of the sensor.
Features
Fast response
Small size and light weight
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol Rating Unit
Input (Light Reverse voltage
emitting diode) Forward current
Power dissipation *1
Output (Photo Collector-emitter voltage
transistor) (Base open)
VR
IF
PD
VCEO
3
50
75
30
V
mA
mW
V
Emitter-collector voltage VECO
(Base open)
5
V
Collector current
IC 20 mA
Collector power dissipation *2 PC
100 mW
Temperature Operating ambient temperature Topr 20 to +85 °C
Storage temperature
Tstg 30 to +100 °C
(R2.3) 4.0±0.3
φ2.2±0.3
2-φ1.2±0.15
(4-R0.3)
Unit: mm
3.75±0.15
8.0
+0
-0.3
7.0±0.3
(C0.3)
2-φ1.2±0.15
φ1.2+−00.3
2-0.4±0.2
(3.75)
2-0.15
+0.2
-0.1
(3.75)
42
1: Anode
2: Cathode
31
3: Collector
4: Emitter
PRSTR104-005 Package
(Note) ( ) Dimension is reference
Note) *1: Input power derating ratio is
1.0 mW/°C at Ta 25°C.
*2: Output power derating ratio is
1.33 mW/°C at Ta 25°C.
Electrical-Optical Characteristics Ta = 25°C ± 3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min Typ Max Unit
Input Forward voltage
VF
characteristics Reverse current
IR
Output
Collector-emitter cutoff current ICEO
characteristics (Base open)
Transfer Collector current *1
IC
characteristics Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
Rise time
tr
Fall time
tf
IF = 50 mA
VR = 3 V
VCE = 10 V
VCE = 5 V, IF = 20 mA
IF = 50 mA, IC = 0.1 mA
VCC = 10 V, IC = 0.5 mA, RL = 100
100
1.5 V
10.0 µA
200 nA
1 500 µA
0.5 V
6 µs
6
Note) 1. Input and output are handled electrically.
2. This product is not designed to withstand radiation
3. *1: IC measurement circuit
(Unit: mm)
2.5
11
CNB1304H
prism
*2: Switching time measurement circuit
Sig. in
50
VCC
Sig. out
RL
(Input pulse)
(Output pulse)
90%
10%
tr tf
tr: Rise time
tf: Fall time
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Publication date: April 2004
SHG00049BED
1





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