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TLP921 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 TLP921은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TLP921 자료 제공

부품번호 TLP921 기능
기능 PHOTOREFLECTIVE
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


TLP921 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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TLP921 데이터시트, 핀배열, 회로
Toshiba Photoreflective sensor Infrared LED + Phototransistor
TLP921
TLP921
Inkjet printer’s ink-level monitoring
TLP921 is a reflective photosensor combining a GaAs infrared LED with
a Si phototransistor.
· Flush-mount package on PCB: Applied PCB thickness = 1.6 mm or
thinner
· Positioning pin and single-sided screw-mount type
· Short lead type: Lead length = 2.8 ± 0.3 mm
· Phototransistor impermeable to visible light
· Package material: polybutylene-terephthalate (UL94V-0, black)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Forward current
Forward current derating
(Ta > 25°C)
Reverse voltage
Collector-Emitter voltage
Emitter-Collector voltage
Collector power dissipation
Collector power dissipation
derating
(Ta > 25°C)
Collector current
Operating temperature
Storage temperature
Soldering temperature (5 s) (Note 1)
IF
DIF/°C
VR
VCEO
VECO
PC
DPC/°C
IC
Topr
Tstg
Tsol
Rating
50
-0.33
5
35
5
75
-1
50
-30~85
-40~100
260
Unit
mA
mA/°C
V
V
V
mW
mW/°C
mA
°C
°C
°C
Note 1: Soldering is performed 1.5 mm from the bottom of the package.
Marking
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 0.35 g (typ.)
Monthly lot
number
Month of
manufacture
January to December
are denoted by letters
A to L respectively
Year of Last decimal digit of
manufacture the year of
manufacture
1 2002-04-03




TLP921 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Package Dimensions
TLP921
Weight: 0.35g (typ.)
Pin connection
14
23
1: Anode
2: Cathode
3: Emitter
4: Collector
4
2002-04-03

4페이지










TLP921 전자부품, 판매, 대치품
Wavelength characteristic
1.0
IF = 20 mA
Ta = 25°C
0.8
(typ.)
0.6
0.4
0.2
0
820 860 900 940 980 1020
Wavelength l (nm)
TLP921
Spectral response characteristic
(typ.)
100
Ta = 25°C
80
60
40
20
0
0 200 400 600 800 1000 1200
Wavelength l (nm)
Detecting position characteristic I
< Relative IC – X direction > (typ.)
1.2
Ta = 25°C
IF = 20 mA
1 VCE = 5 V
0.8 Prism
0.6 -l +l
0.4
0.2
0
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Prism moving distance I (mm)
Detecting position characteristic II
< Relative IC – Y direction > (typ.)
1.2
1
0.8
Ta = 25°C
IF = 20 mA
0.6 VCE = 5 V
Prism
0.4
0.2 -l +l
0
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Prism moving distance I (mm)
Detecting distance characteristic
< Relative IC – Z direction > (typ.)
1
0.3
0.1
0.03
Ta = 25°C
IF = 20 mA
VCE = 5 V
Prism
d
0.01
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Distance between device and prism d (mm)
7
2002-04-03

7페이지


구       성 총 8 페이지수
다운로드[ TLP921.PDF 데이터시트 ]

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