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7MBR75VN120-50 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 7MBR75VN120-50은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 7MBR75VN120-50 자료 제공

부품번호 7MBR75VN120-50 기능
기능 IGBT MODULE
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


7MBR75VN120-50 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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7MBR75VN120-50 데이터시트, 핀배열, 회로
7MBR75VN120-50
IGBT MODULE (V series)
1200V / 75A / PIM
Features
Low VCE(sat)
Compact Package
P.C.Board Mount Module
Converter Diode Bridge Dynamic Brake Circuit
RoHS compliant product
Applications
Inverter for Motor Drive
AC and DC Servo Drive Amplifier
Uninterruptible Power Supply
IGBT Modules
Maximum Ratings and Characteristics
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)
Items
Symbols
Conditions
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Collector current
Collector power dissipation
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Collector current
Collector power dissipation
Repetitive peak reverse voltage (Diode)
Repetitive peak reverse voltage
Average output current
Surge current (Non-Repetitive)
I2t (Non-Repetitive)
VCES
VGES
Ic
Icp
-Ic
-Ic pulse
Pc
VCES
VGES
IC
ICP
PC
VRRM
VRRM
IO
IFSM
I2t
Junction temperature
Tj
Operating junciton temperature
(under switching conditions)
Tjop
Case temperature
Storage temperature
Tc
Tstg
Isolation voltage
between terminal and copper base (*1)
between thermistor and others (*2)
Viso
Screw torque Mounting (*3)
-
Continuous
1ms
1ms
1 device
Tc=80°C
Tc=80°C
Continuous
1ms
1 device
Tc=80°C
Tc=80°C
50Hz/60Hz, sine wave
10ms, Tj=150°C
half sine wave
Inverter, Brake
Converter
Inverter, Brake
Converter
AC : 1min.
M5
Maximum
ratings
1200
±20
75
150
75
150
385
1200
±20
50
100
280
1200
1600
75
520
1352
175
150
150
150
125
-40 to +125
2500
3.5
Units
V
V
A
W
V
V
A
W
V
V
A
A
A2s
°C
VAC
Nm
Note *1: All terminals should be connected together during the test.
Note *2: Two thermistor terminals should be connected together, other terminals should be connected together and shorted to base plate during the test.
Note *3: Recommendable value : 2.5-3.5 Nm (M5)
1




7MBR75VN120-50 pdf, 반도체, 판매, 대치품
7MBR75VN120-50
IGBT Modules
[ Inverter ]
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=2.2Ω, Tj= 125°C
10000
[ Inverter ]
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=2.2Ω, Tj= 150°C
10000
1000
100
toff
ton
tr
tf
10
0
25 50 75 100 125 150 175
Collector current: IC [A]
[ Inverter ]
Switching time vs. gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj= 125°C
10000
1000
100
toff
ton
tr
tf
10
0.1
1.0 10.0
Gate resistance : Rg [Ω]
100.0
[ Inverter ]
Switching loss vs. gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=75A, VGE=±15V
14
12 Eon(150°C)
10 Eon(125°C)
8 Eoff(150°C)
Eoff(125°C)
6
Err(150°C)
4 Err(125°C)
2
0
1 10 100
Gate resistance : Rg [Ω]
1000
100
toff
ton
tr
tf
10
0
25 50 75 100 125 150 175
Collector current: IC [A]
[ Inverter ] a
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=2.2Ω
20
Eon(150°C)
Eon(125°C)
15 Eoff(150°C)
Eoff(125°C)
10
Err(150°C)
5 Err(125°C)
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Collector current: IC [A]
[ Inverter ]
Reverse bias safe operating area (max.)
+VGE=15V,-VGE <= 15V, RG >= 2.2Ω ,Tj <= 125°C
200
175
150
125
100 RBSOA
75 (Repetitive pulse)
50
25
0
0 400 800 1200
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
4

4페이지










7MBR75VN120-50 전자부품, 판매, 대치품
7MBR75VN120-50
Outline Drawings, mm
IGBT Modules
shows theoretical dimension.
( ) shows reference dimension.
Equivalent Circuit Schematic
[ Converter ]
[ Brake]
Section A-A
[ Inverter ]
[ Thermistor ]
7

7페이지


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