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4MBI300VG-120R-50 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 4MBI300VG-120R-50은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 4MBI300VG-120R-50 자료 제공

부품번호 4MBI300VG-120R-50 기능
기능 IGBT Module
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


4MBI300VG-120R-50 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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4MBI300VG-120R-50 데이터시트, 핀배열, 회로
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
4MBI300VG-120R-50
IGBT Modules
IGBT MODULE (V series)
1200V / 300A / IGBT, 600V/300A/RB-IGBT, 4 in one package
Features
Higher Efficiency
Optimized A (T-type) -3 level circuit
Low inductance module structure
Featuring Reverse Blocking IGBT (RB-IGBT)
Applications
Inverter for Motor Drive
Uninterruptible Power Supply
Power conditioner
Maximum Ratings and Characteristics
Absolute Maximum Ratings (at TC=25°C unless otherwise specified)
Items
Symbols
Conditions
Collector-Emitter voltage
VCES
Gate-Emitter voltage
VGES
Collector current
IGBT
FWD
IC
Icp
-IC
-IC pulse
Continuous
1ms
1ms
Collector power dissipation
PC 1 device
Collector-Emitter voltage
VCES
Gate-Emitter voltage
VGES
Collector current
IC Continuous
Icp 1ms
Collector power dissipation
PC 1 device
Junction temperature
Tj
Case temperature
TC
Storage temperature
Tstg
Isolation voltage between terminal and copper base (*1) Viso
AC : 1min.
Screw torque
Mounting (*2)
Terminals (*3)
- M5 or M6
- M5
Note *1: All terminals should be connected together during the test.
Note *2: Recommendable value : 2.5-3.5 Nm (M5 or M6)
Note *3: Recommendable value : 2.5-3.5 Nm (M5)
TC=80°C
TC=80°C
TC=80°C
TC=80°C
Maximum ratings
1200
±20
300
600
300
600
1250
600
±20
300
600
1250
150
125
-40 ~ +125
2500
3.5
3.5
Units
V
V
A
W
V
V
A
W
°C
VAC
Nm
1




4MBI300VG-120R-50 pdf, 반도체, 판매, 대치품
4MBI300VG-120R-50
Characteristics (Representative)
[ T1, T2 ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
600
VGE=20V
15V
12V
500
400
300 10V
200
100
0
0
8V
1234
Collector-Emitter voltage: VCE [V]
5
[ T1, T2 ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
600
500
Tj=25°C
Tj=125°C
400
300
200
100
0
012345
Collector-Emitter voltage: VCE [V]
[ T1, T2 ]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
100.0
Cies
10.0
Cres
1.0 Coes
0.1
0
10 20
Collector - Emitter voltage: VCE [V]
30
IGBT Modules
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
[ T1, T2 ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
600
VGE=20V
15V
500
12V
400
300
10V
200
100
0
0
8V
1234
Collector-Emitter voltage: VCE [V]
5
[ T1, T2 ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25ºC / chip
8
6
4
2 IC=600A
IC=300A
IC=150A
0
5 10 15 20 25
Gate - Emitter voltage: VGE [V]
[ T1, T2 ]
Dynamic gate charge (typ.)
VCC=600V, IC=300A, Tj=25ºC
VGE
VCE
0
4
12
Gate charge: Qg [µC]
3

4페이지










4MBI300VG-120R-50 전자부품, 판매, 대치품
4MBI300VG-120R-50
IGBT Modules
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
[ T3, T4 ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
600
VGE=20V 15V
12V
500
400
10V
300
200
100
0
0
8V
1234
Collector-Emitter voltage: VCE [V]
5
[ T3, T4 ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
600
500
Tj=25°C
Tj=125°C
400
300
200
100
0
012345
Collector-Emitter voltage: VCE [V]
[ T3, T4 ]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
100
Cies
10
Coes
Cres
1
0.1
0.01
0
10 20
Collector - Emitter voltage: VCE [V]
30
7
[ T3, T4 ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
600
VGE=20V 15V 12V
500
400
10V
300
200
100 8V
0
012345
Collector-Emitter voltage: VCE [V]
[ T3, T4 ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
8
6
4
IC=600A
2
IC=300A
IC=150A
0
5 10 15 20 25
Gate - Emitter voltage: VGE [V]
[ T3, T4 ]
Dynamic gate charge (typ.)
VCC=300V, IC=300A, Tj=25°C
400
25
300
VCE
200
100
VGE 20
15
10
5
00
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
Gate charge: Qg [µC]

7페이지


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