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2MBI450VH-120-50 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 2MBI450VH-120-50은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2MBI450VH-120-50 자료 제공

부품번호 2MBI450VH-120-50 기능
기능 IGBT Module
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


2MBI450VH-120-50 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2MBI450VH-120-50 데이터시트, 핀배열, 회로
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
2MBI450VH-120-50
IGBT MODULE (V series)
1200V / 450A / 2 in one package
Features
High speed switching
Voltage drive
Low Inductance module structure
Applications
Inverter for Motor Drive
AC and DC Servo Drive Amplifier
Uninterruptible Power Supply
Industrial machines, such as Welding machines
Maximum Ratings and Characteristics
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)
Items
Collector-Emitter voltage
Symbols
VCES
Conditions
Gate-Emitter voltage
VGES
Ic Continuous
Collector current
Ic pulse
-Ic
-Ic pulse
Collector power dissipation
Pc
Junction temperature
Tj
Operating junction temperature (under switching conditions) Tjop
Case temperature
TC
Storage temperature
Tstg
Isolation voltage Between terminal and copper base (*1) Viso
Screw torque
Mounting (*2)
Terminals (*3)
-
1ms
1ms
1 device
AC : 1min.
Note *1: All terminals should be connected together during the test.
Note *2: Recommendable Value : 3.0-6.0 Nm (M5 or M6)
Note *3: Recommendable Value : 2.5-5.0 Nm (M6)
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)
Tc=100°C
Tc=25°C
Items
Zero gate voltage collector current
Gate-Emitter leakage current
Gate-Emitter threshold voltage
Collector-Emitter saturation voltage
Input capacitance
Turn-on time
Turn-off time
Forward on voltage
Reverse recovery time
Thermal resistance characteristics
Symbols
ICES
IGES
VGE (th)
VCE (sat)
(terminal)
VCE (sat)
(chip)
Cies
ton
tr
tr (i)
toff
tf
VF
(terminal)
VF
(chip)
trr
Conditions
VGE = 0V, VCE = 1200V
VCE = 0V, VGE = ±20V
VCE = 20V, IC = 450mA
Tj=25°C
Tj=125°C
VGE = 15V
IC = 450A
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
VCE = 10V, VGE = 0V, f = 1MHz
VCC = 600V
IC = 450A
VGE = ±15V
RG = 1Ω
Tj = 150°C
LS = 30nH
Tj=25°C
Tj=125°C
VGE = 0V
IF = 450A
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
IF = 450A, Tj=150ºC
Items
Symbols Conditions
Thermal resistance (1device)
Contact thermal resistance (1device) (*4)
Rth(j-c)
Rth(c-f)
Inverter IGBT
Inverter FWD
with Thermal Compound
Note *4: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.
IGBT Modules
Maximum ratings
1200
±20
450
520
900
450
900
2400
175
150
125
-40 ~ +125
2500
6.0
5.0
Units
V
V
A
W
°C
VAC
Nm
Characteristics
min. typ. max.
- - 2.0
- - 400
6.0 6.5 7.0
- 2.10 2.45
- 2.45 -
- 2.50 -
- 1.80 2.15
- 2.15 -
- 2.20 -
- 36 -
- 0.60 -
- 0.20 -
- 0.05 -
- 0.80 -
- 0.08 -
- 1.95 2.40
- 2.15 -
- 2.10 -
- 1.70 2.15
- 1.90 -
- 1.85 -
- 0.15 -
Units
mA
nA
V
V
nF
µs
V
µs
Characteristics
min. typ. max.
- - 0.062
- - 0.110
- 0.0125 -
Units
°C/W
1




2MBI450VH-120-50 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2MBI450VH-120-50
Forward Current vs. Forward Voltage (typ.)
chip
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Tj=25°C
125°C
150°C
12
Forward on voltage: VF [V]
3
Reverse Recovery Characteristics (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=1Ω, Tj=150°C
10000
1000
100
Irr
trr
10
0 200 400 600 800 1000
Forward current: IF [A]
IGBT Modules
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
Reverse Recovery Characteristics (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=1Ω, Tj=125°C
10000
1000
100
Irr
trr
10
0
200 400 600 800
Forward current: IF [A]
1000
Transient Thermal Resistance (max.)
1
FWD
0.1
IGBT
0.01
0.001
0.001
0.01 0.1
Pulse Width : PW [sec]
1
4

4페이지












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