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JHW5N60B 데이터시트 PDF




Jin-ec Electronic에서 제조한 전자 부품 JHW5N60B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 JHW5N60B 자료 제공

부품번호 JHW5N60B 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 Jin-ec Electronic
로고 Jin-ec Electronic 로고


JHW5N60B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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JHW5N60B 데이터시트, 핀배열, 회로
Shanghai Jin-ec Electronic& Technology Co., Ltd
JHW5N60
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID  A
VDSS 600 V
Rdson(@Vgs=10V) 2.5Ω
Qg 27 nC
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
zCrss (典型值 14pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 14pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
JHW5N60V-O-V-N-B
JHW5N60R-O-R-N-B
JHW5N60S-O-S-N-B
JHW5N60B-O-B-N-B
JHW5N60C-O-C-N-B
JHW5N60F-O-F-N-B
JHW5N60V
JHW5N60R
JHW5N60S
JHW5N60B
JHW5N60C
JHW5N60F
封装
Package
IPAK
DPAK
TO-263
TO-262
TO-220C
TO-220MF
无卤素 包 装
Halogen Free Packaging
NO
NO
NO
NO
NO
NO
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
器件重量
Device
Weight
0.35 g(typ)
0.30 g(typ)
1.37 g(typ)
1.71 g(typ)
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
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JHW5N60B pdf, 반도체, 판매, 대치품
JHW5N60
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
td(on)
tr
VDD=300V,ID=4.5A,RG=25- 20 50 ns
note 45
- 55 120 ns
延迟时间 Turn-Off delay time
td(off)
- 70 150 ns
下降时间 Turn-Off Fall time
tf
- 55 120 ns
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
Qg
Qgs
Qgd
VDS =480V ,
ID=4.5A
VGS =10V note 45
- 27 30
- 3.6 -
- 13.1 -
nC
nC
nC
漏 - 源 二 极 管 特 性 及 最 大 额 定 值 Drain-Source Diode C haracteristics and Ma ximum
Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS - - 4.5 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM - - 18 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward VSD VGS=0V, IS=4.5A
Voltage
- - 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
trr VGS=0V, IS=4.5A
- 300 - ns
Qrr dIF/dt=100A/μs (note 4) - 2.2 - μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
最大
符号
单位
Symbol Max Unit
JHW5N60V/RJHW5N60S/B/CJHW5N60F
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
2.50
1.25 3.79 /W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
83
62.5 62.5 /W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2L=25mH, IAS=4.5A, VDD=50V, RG=25 ,起始结
TJ=25
3ISD 4.5A,di/dt 200A/μs,VDDBVDSS,起始结温
TJ=25
4:脉冲测试:脉冲宽度300μs,占空比2
5:基本与工作温度无关
Notes:
1Pulse width limited by maximum junction
temperature
2 L=25mH, IAS=4.5A, VDD=50V, RG=25 ,Starting
TJ=25
3 ISD 4.5A,di/dt 200A/μs,VDDBVDSS, Starting
TJ=25
4Pulse TestPulse Width 300μs,Duty Cycle2
5Essentially independent of operating temperature
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JHW5N60B 전자부품, 판매, 대치품
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JHW5N60V/R
JHW5N60
Transient Thermal Response Curve
For JHW5N60S/B/C
Transient Thermal Response Curve
For JHW5N60F
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