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JHW5N50C 데이터시트 PDF




Jin-ec Electronic에서 제조한 전자 부품 JHW5N50C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JHW5N50C 자료 제공

부품번호 JHW5N50C 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 Jin-ec Electronic
로고 Jin-ec Electronic 로고


JHW5N50C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 10 페이지수

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JHW5N50C 데이터시트, 핀배열, 회로
Shanghai Jin-ec Electronic&Technology Co., Ltd
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
JHW5N50封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 5 A
VDSS 500 V
Rdson(@Vgs=10V) 1. Ω
Qg 32 nC
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
zCrss (典型值 17pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 17pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
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JHW5N50C pdf, 반도체, 판매, 대치품
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
td(on)
tr
VDD=250V,ID=5A,RG=25
note 45
延迟时间 Turn-Off delay time
td(off)
下降时间 Turn-Off Fall time
tf
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
Qg
Qgs
Qgd
VDS =400V ,
ID=5A
VGS =10V note 45
JHW5N50
- 15 40 ns
- 40 90 ns
- 85 180 ns
- 45 100 ns
- 32 44 nC
- 3.7 - nC
- 15 - nC
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS - - 5 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM - - 18 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD VGS=0V, IS=4.5A
- - 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
trr VGS=0V, IS=4.5A
- 305 - ns
Qrr
dIF/dt=100A/μs (note 4)
- 2.6 - μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
符号
最大
单位
Symbol
Max
Unit
JHW5N50V/RJHW5N50C JHW5N50F
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
2.05
1.71 3.31 /W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
110
62.5 62.5 /W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2L=24mH, IAS=5A, VDD=50V, RG=25 ,起始结
TJ=25
3ISD 5A,di/dt 300A/μs,VDDBVDSS,起始结温
TJ=25
4:脉冲测试:脉冲宽度300μs,占空比2
5:基本与工作温度无关
Notes:
1Pulse width limited by maximum junction
temperature
2L=24mH, IAS=5A, VDD=50V, RG=25 ,Starting
TJ=25
3ISD 5A,di/dt 300A/μs,VDDBVDSS, Starting
TJ=25
4Pulse TestPulse Width 300μs,Duty Cycle2
5Essentially independent of operating temperature
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4페이지










JHW5N50C 전자부품, 판매, 대치품
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JHW5N50V/R
JHW5N50
Transient Thermal Response Curve
For JHW5N50S/B/C
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7페이지


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