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FIR3441AG 데이터시트 PDF




First Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FIR3441AG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FIR3441AG 자료 제공

부품번호 FIR3441AG 기능
기능 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 First Semiconductor
로고 First Semiconductor 로고


FIR3441AG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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FIR3441AG 데이터시트, 핀배열, 회로
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The FIR3441AG uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications.
General Features
VDS = -30V,ID = -4.4A
RDS(ON) < 65m@ VGS=-4.5V
RDS(ON) < 50m@ VGS=-10V
High Power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface Mount Package
Application
PWM applications
Load switch
Power management
FIR3441AG
Top vlew SOT-23
D
G
S
D
G
S
Schematic diagram
Marking and pin Assignment
Package Marking And Ordering Information
Device Marking
Device
Device Package
3401A
NCE3401A
SOT-23
Reel Size
Ø180mm
Tape width
8 mm
Quantity
3000 units
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed (Note 1)
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
ID
IDM
PD
TJ,TSTG
Limit
-30
±12
-4.4
-30
1.3
-55 To 150
Unit
V
V
A
A
W
Thermal Characteristic
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)
RθJA
95 /W
Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Condition
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
VGS=0V ID=-250μA
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS VDS=-24V,VGS=0V
Min Typ Max Unit
-30 -33
--
-
-1
V
μA
@ 2010 Copyright By American First Semiconductor
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FIR3441AG pdf, 반도체, 판매, 대치품
FIR3441AG
Vgs Gate-Source Voltage (V)
Figure 7 Transfer Characteristics
TJ-Junction Temperature()
Figure 8 Drain-Source On-Resistance
Vgs Gate-Source Voltage (V)
Figure 9 Rdson vs Vgs
Vds Drain-Source Voltage (V)
Figure 10 Capacitance vs Vds
Qg Gate Charge (nC)
Figure 11 Gate Charge
Vsd Source-Drain Voltage (V)
Figure 12 Source- Drain Diode Forward
www.First-semi.com
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