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부품번호 | 1SS388 기능 |
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기능 | SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRER DIODE | ||
제조업체 | EIC | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
1SS388
FEATURES :
* Small package
* Low forward voltage
* Low revese current
* Pb / RoHS Free
MECHANICAL DATA :
* Lesd Finish : 100% Matte Sn (Tin)
* Mounting Position : Any
* Qualified Max Reflow Temperature : 260 °C
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C)
Parameter
Maximum Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Voltage
Maximum Average Forward Current
Maximum Peak Forward Current
Maximum Surge Current (10 ms)
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Electrical Characteristics (Ta = 25 °C)
Parameter
Forward Voltage
Reverse Current
Total Capacitance
Symbol
VF
IR
CT
Certificate : TH97/10561QM
Certificate : TW00/17276EM
SILICON EPITAXIAL
SCHOTTKY BARRER DIODE
SOD-523
1.25
1.15
1.65
1.55
Dimensions in millimeters
Symbol
VRM
VR
IF
IFM
IFSM
Ptot
TJ
TSTG
Value
45
40
100
300
1.0
150
125
-55 to + 125
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
Test Condition
IF = 50 mA
VR = 10 V
f = 1MHz
Max.
0.6
5
25
Unit
V
μA
pF
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Rev. 00 : May 7, 2007
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ 1SS388.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1SS380 | Switching diode | ROHM Semiconductor |
1SS380 | Silicon Epitaxial Planar Diode | MDD |
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