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1SS388 데이터시트 PDF




EIC에서 제조한 전자 부품 1SS388은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 1SS388 자료 제공

부품번호 1SS388 기능
기능 SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRER DIODE
제조업체 EIC
로고 EIC 로고


1SS388 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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1SS388 데이터시트, 핀배열, 회로
1SS388
FEATURES :
* Small package
* Low forward voltage
* Low revese current
* Pb / RoHS Free
MECHANICAL DATA :
* Lesd Finish : 100% Matte Sn (Tin)
* Mounting Position : Any
* Qualified Max Reflow Temperature : 260 °C
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C)
Parameter
Maximum Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Voltage
Maximum Average Forward Current
Maximum Peak Forward Current
Maximum Surge Current (10 ms)
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Electrical Characteristics (Ta = 25 °C)
Parameter
Forward Voltage
Reverse Current
Total Capacitance
Symbol
VF
IR
CT
Certificate : TH97/10561QM
Certificate : TW00/17276EM
SILICON EPITAXIAL
SCHOTTKY BARRER DIODE
SOD-523
1.25
1.15
1.65
1.55
Dimensions in millimeters
Symbol
VRM
VR
IF
IFM
IFSM
Ptot
TJ
TSTG
Value
45
40
100
300
1.0
150
125
-55 to + 125
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
Test Condition
IF = 50 mA
VR = 10 V
f = 1MHz
Max.
0.6
5
25
Unit
V
μA
pF
Page 1 of 2
Rev. 00 : May 7, 2007





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